Cтраница 1
Потенциалобразующая адсорбция ионов радиоактивных изотопов, находящихся в крайне разбавленном состоянии, играет незначительную роль, так как избыток ионов какого-либо знака в поверхностном слое кристалла против стехиометрического отношения может образоваться лишь в присутствии весомых количеств элемента. Вместе с тем Потенциалобразующая адсорбция косвенно имеет большое значение для адсорбции радиоактивных изотопов, так как ее величина определяет общую емкость по отношению к вторичной обменной адсорбции. [1]
Потенциалобразующая адсорбция ионов радиоактивных изотопов, находящихся в крайне разбавленном состоянии, играет незначительную роль, так как избыток ионов какого-либо знака в поверхностном слое кристалла против стехиомет-рического отношения может образоваться лишь в присутствии весомых количеств элемента. Вместе с тем потенциалобразую-щая адсорбция косвенно имеет большое значение для адсорбции радиоактивных изотопов, так как ее величина определяет общую емкость по отношению к вторичной обменной адсорбции. [2]
Как уже отмечалось, потенциалобразующая адсорбция имеет лишь косвенное значение в технологии радиоактивных элементов; закономерности ее важны постольку, поскольку она определяет количество вторично адсорбированных ионов. Поэтому отметим лишь, что потенциалобразующая адсорбция зависит линейно от логарифма концентрации ( мольной) собственных ионов. Это было экспериментально доказано работами Кройта с сотрудниками и Кольтгоффа. Если в растворе присутствуют другие ионы, способные участвовать в первичной адсорбции, а именно изоморфные ионы, то к концентрации собственных ионов решетки должна быть добавлена концентрация изоморфных ионов, умноженная на коэффициент распределения D. Так как наибольшим D обладают такие ионы, которые дают наиболее труднорастворимое соединение с противоположно заряженными ионами решетки, то понятно, что именно они будут наиболее сильно адсорбироваться. Этим подтверждается правило Пакета. [3]
Потенциалобразующая адсорбция ионов радиоактивных изотопов, находящихся в крайне разбавленном состоянии, играет незначительную роль, так как избыток ионов какого-либо знака в поверхностном слое кристалла против стехиометрического отношения может образоваться лишь в присутствии весомых количеств элемента. Вместе с тем Потенциалобразующая адсорбция косвенно имеет большое значение для адсорбции радиоактивных изотопов, так как ее величина определяет общую емкость по отношению к вторичной обменной адсорбции. [4]
Как уже отмечалось, потенциалобразующая адсорбция имеет лишь косвенное значение в технологии радиоактивных элементов; закономерности ее важны постольку, поскольку она определяет количество вторично адсорбированных ионов. Поэтому отметим лишь, что потенциалобразующая адсорбция зависит линейно от логарифма концентрации ( мольной) собственных ионов. Это было экспериментально доказано работами Кройта с сотрудниками и Кольтгоффа. Если в растворе присутствуют другие ионы, способные участвовать в первичной адсорбции, а именно изоморфные ионы, то к концентрации собственных ионов решетки должна быть добавлена концентрация изоморфных ионов, умноженная на коэффициент распределения D. Так как наибольшим D обладают такие ионы, которые дают наиболее труднорастворимое соединение с противоположно заряженными ионами решетки, то понятно, что именно они будут наиболее сильно адсорбироваться. Этим подтверждается правило Пакета. [5]
Кройта [9], показывающие, что величина потенциалобразующей адсорбции линейно зависит от концентрации собственных ионов в растворе. Исходя из этого факта, мы можем сделать заключение, что емкость двойного слоя и разность потенциалов, возникающая за счет диполей, не зависят или очень мало зависят от концентрации собственных ионов кристалла в растворе. [6]
Практически обычно при изучении адсорбции на полярных кристаллах приходится иметь дело лишь с двумя ее видами - первичной обменной и вторичной обменной. В присутствии значительного избытка собственных ионов в осадке главную роль обычно играет вторичная обменная адсорбция. Ван-дер-ваалвсова адсорбция играет второстепенную роль. Исходя из определения потенциалобразующей адсорбции, очевидно, что в сильно разбавленных растворах она также не может играть существенной роли, так как для образования избытка ионов какого-либо знака в поверхностном слое кристалла по сравнению со стехиометри-ческим отношением необходимо присутствие ионов в весомых количествах. [7]
Практически обычно при изучении адсорбции на полярных кристаллах приходится иметь дело лишь с двумя ее видами - первичной обменной и вторичной обменной. В присутствии значительного избытка собственных ионов в осадке главную роль обычно играет вторичная обменная адсорбция. Ван-дер-вааль - сова адсорбция играет второстепенную роль. Исходя из определения потенциалобразующей адсорбции, очевидно, что в сильно разбавленных растворах она также не может играть существенной роли, так как для образования избытка ионов какого-либо знака в поверхностном слое кристалла по сравнению со стехио-метрическим отношением необходимо присутствие ионов в весомых количествах. [8]
Для адсорбции радиоактивных элементов из крайне разбавленных растворов в поверхностном слое кристалла имеет непосредственное значение лишь процесс первичной обменной адсорбции. Это объясняется тем, что в силу ничтожных концентраций радиоактивные элементы не могут обеспечить создания достаточного избытка одного из ионов на поверхности кристаллов, характеризующего первичную потенциалобразующую адсорбцию. Этот вид адсорбции имеет очень большое значение для аналитической химии. Что же касается адсорбции радиоактивных элементов, то здесь потенциалобразующая адсорбция оказывает лишь косвенное влияние, определяя общее количество вторично адсорбированных ионов. [9]
На основании изложенного представления о строении двойного электрического слоя была предложена классификация возможных видов адсорбции радиоактивных изотопов. Первым процессом, приводящим к адсорбции радиоактивных изотопов, является кинетический обмен ионами между поверхностью кристалла и раствором. Если в растворе были ионы, могущие входить в поверхностный слой кристаллической решетки осадка, то в результате такого обмена часть этих ионов перейдет в поверхностный слой кристалла. Этот вид адсорбции является первичной обменной адсорбцией. Процесс кинетического обмена между поверхностью кристалла и раствором приводит также к отклонению состава поверхностного слоя от стехиометрического соотношения и, следовательно, к образованию свободного электрического заряда на поверхности кристалла. Так, например, плохо растворимые осадки, обладающие очень развитой поверхностью, могут увлекать с собой значительные количества находящегося в избытке иона. Этот вид адсорбции связан с двойным электрическим слоем, обусловливающим скачок потенциала на поверхности раздела кристалл - раствор, и поэтому назван потенциалобразующей адсорбцией. [10]