Ферроэлектрик

Cтраница 2

Теоретическое объяснение явлений в ферроэлектриках, предложенное В. Л. Гинзбургом, состоит в следующем. [16]

Для варикондов созданы материалы - аналоги магнитномягких и магнит-ножестких ферроэлектриков, названные сегнетомягкими и сегнетотвердыми и характеризующиеся как малыми, так и большими значениями напряженности коэрцитивного поля и диэлектрических потерь, разной формой петли диэлектрического гистерезиса, разными значениями спонтанной, полной и индуцированной поляризации. Особую группу составляют вариконды из материала ВК-6 с высокой лрямоугольностью петли диэлектрического гистерезиса. [17]

Основные преимущества запоминающих устройств, построенных на ферроэлектриках, состоят в следующем: для записи и хранения данных почти не требуется затраты мощности, хранение большого количества данных производится на очень малых площадях и данные могут храниться в течение длительного времени без восстановления. Так, исследования показали, что кристаллы титаната бария способны к запоминанию на площади 3 2 см2 до 250 двоичных знаков. [18]

Этот экспоненциальный участок показывает, что для таких ферроэлектриков, как, например, титанат бария, нет предельной ( пороговой) напряженности поля, ниже которой переключение невозможно ( как это имеет место у ферромагнетиков); наоборот, кристалл переполяризуется даже в самом незначительном поле, но для этого требуется очень большое время. В областях с большой Е экспоненциальный характер кривой уже не согласуется с опытными данными. Это объясняется тем, что при больших напряженностях поля образование ядер новых доменов происходит чрезвычайно быстро, и время переключения определяется главным образом скоростью прорастания доменных стенок, которая линейно зависит от напряженности поля. [19]

На рис. 74 показано запоминающее устройство с использованием ферроэлектриков. Принцип действия здесь такой же, как и в случае магнитных сердечников с прямоугольной петлей гистерезиса, только вместо токов здесь используются напряжения. К одной из проводящих полосок X подводится положительный потенциал, а к одной из полссок подводится равный по величине отрицательный потенциал. [20]

Созданы образцы малогабаритных и весьма экономичных запоминающих устройств на ферроэлектриках и работающих в условиях глубокого охлаждения криогенных запоминающих элементах. [21]

Фазовая диаграмма системы К2О ( К2СО3 - Та2С5. [22]

Метаниобат и метатанталат калия имеют структуру типа перов-скита и являются ферроэлектриками. Замещение в решетке KNbO3 ниобия на тантал снижает точку Кюри на Т на каждый 1 мол. [23]

Петли гистерезиса. а - монокристаллического образца. б - поликристаллического образца. [24]

Дальнейшему изложению необходимо предпослать краткое описание накопительного элемента ЗУ на ферроэлектрике. [25]

Некоторые полярные вещества, образующие кристаллы, аналогичные или изоструктурные кристаллам ферроэлектриков, имеют переходы между фазами различной симметрии. Если неупорядоченная и упорядоченная фазы не являются истинно поляризованными, то вещество антиферроэлектриче-ское, хотя упорядоченная фаза может быть при этом образована двумя эквивалентными, взаимопроникающими решетками с одинаковой, но противоположно направленной поляризацией. Такие кристаллы, не обнаруживающие диэлектрического гистерезиса, но имеющие псевдосимметричные переходы к высокосимметричной форме, характеризующиеся резкой аномалией величины диэлектрической проницаемости, были названы антиферроэлек-траками. Только по одним термодинамическим данным невозможно сказать, участвует ли в переходе антиферроэлектрическое или ферроэлектрическое состояние. Обнаружены переходы между ферроэлектрическим и антиферро-электрическим состояниями, а некоторые антиферроэлектрические вещества, как оказалось, могут быть переведены в ферроэлектрическое состояние при наложении сильного электрического поля. Имеются также вещества, обнаруживающие антиферроэлектрические свойства в направлении одной оси, но ферроэлектрические свойства - вдоль другой. Такие кристаллы были названы ферриэлектриками. [26]

Действие приемника основано на изменении поляризации конденсатора из титаната бария при разогреве ферроэлектрика под действием поглощенного лучистого потока одной из пластин конденса - тора. [27]

Титанат бария обладает диэлектрическими качествами, которые приводят к классификации его как ферроэлектрика благодаря сходству между его электрическими характеристиками и магнитными характеристиками железистых материалов. Его диэлектрическая постоянная велика, и здесь имеется зависимость типа гисте-резисной петли между электрическим полем и зарядом. Если мультикристаллический титанат бария в мелкоизмельченном виде сжигать совместно с каким-либо подходящим связывающим веществом, то получается твердая керамика, обладающая электростриктивными свойствами. Если материал поляризован полем постоянного тока, то при этом получается напряжение на выходе, пропорциональное приложенному усилию. Добавление к смеси свинцового титаната делает возможным постоянную поляризацию, если смесь нагреть до температуры, превышающей температуру Кюри ( 120 С), а затем дать остынуть при наличии сильного поля постоянного тока. Свинцовый титанат улучшает также температурную устойчивость материала. Керамические смеси титаната бария являются, вероятно, наиболее подходящими пьезоэлектрическими материалами для преобразовательных устройств. Прочность и устойчивость керамической формы, легкость, с которой она может быть изготовлена различных размеров и очертаний, отсутствие какой-либо предпочтительной оси действия - все это ведет к тому, что эти качества компенсируют ее немного более низкую чувствительность по сравнению с сегнетовой солью. Обычно используемая область температуры колеблется от - 50 до 100 С. [28]

Схема матричного запоминающего устройства на монокристалле.| Эквивалентная схема матрицы. [29]

В результате появляется возможность удачно решать проблему получения максимальной емкости ЗУ на ферроэлектриках сокращением расстояния между электродами и увеличением размеров монокристалла ферроэлек-трика. [30]

Страницы: 1 2 3 4