Фигура - совмещение
Cтраница 1
 |
Топологический чертеж транзистора выходного каскада.| Топологический чертеж входных диодов.| Топологический чертеж диода промежуточного каскада. [1] |
Фигуры совмещения имеют форму квадратов, причем на каждой маске, кроме первой и последней, расположены две фигуры. Меньший квадрат предназначен для совмещения с предыдущей технологической операцией, а больший - с последующей операцией. [2]
 |
Чертеж слоя полупроводниковой ИС, входящего в состав топологического чертежа. [3] |
Фигуры совмещения могут быть различной формы: треугольной, прямоугольной, крестовой и др. Соответствующие фигуры совмещения показывают и на отдельных слоях. [4]
 |
Схема электронного совмещения рисунков. а. I - электронный пучок. 2 - алюминиевый электрод. 3 - окисел кремния. 4 - кремний. 5 - источник питания измерителя. 6 - чувствительный микроамперметр. [5] |
Во время первой экспозиции пластины фигура совмещения с фотокатода проецируется на пластину кремния. Этот рисунок вытравливается в слое двуокиси кремния по обычной технологии одновременно с остальными рисунками элементов микросхем. [6]
 |
Схема электронного совмещения рисунков. а. I - электронный пучок. 2 - алюминиевый электрод. 3 - окисел кремния. 4 - кремний. 5 - источник питания измерителя. 6 - чувствительный микроамперметр. [7] |
Во время второй и последующих экспозиций фигура совмещения с фотокатода проецируется на ранее вытравленный рисунок в слое двуокиси кремния. [8]
 |
Типы I, II, III фигур совмещения. [9] |
Следует помнить, что при травлении размеры фигур совмещения меняются. Наиболее характерные типы фигур совмещения для контактной фотолитографии показаны на рис. 3.11. Важным обстоятельством, которое необходимо учитывать при оценке точности совмещения, является зависимость этого параметра от индивидуальных особенностей зрения оператора. [10]
 |
Чертеж слоя полупроводниковой ИС, входящего в состав топологического чертежа. [11] |
Фигуры совмещения могут быть различной формы: треугольной, прямоугольной, крестовой и др. Соответствующие фигуры совмещения показывают и на отдельных слоях. [12]
На кристалле размещаются все блоки и отдельные элементы схемы, а также контактные площадки, фигуры совмещения и тестовые структуры. Для примера рассмотрим общий план кристалла ИС памяти с записью и считыванием ( рис. 4.20), функциональная схема которого была приведена на рис. 4.7. Основную часть кристалла занимает накопитель / емкостью 16X16 бит прямоугольной формы, который вместе с блоком усилителей записи и считывания 3 и дешифратором 5 образует фигуру, форма которой близка к квадратной. Остальные блоки и элементы размещаются по периферии так, чтобы избежать пересечений соединений между блоками. Контактные площадки 13 равномерно размещаются по периферии кристалла. [13]
Следует помнить, что при травлении размеры фигур совмещения меняются. Наиболее характерные типы фигур совмещения для контактной фотолитографии показаны на рис. 3.11. Важным обстоятельством, которое необходимо учитывать при оценке точности совмещения, является зависимость этого параметра от индивидуальных особенностей зрения оператора. [14]
В этом месте поместить фигуры совмещения К, которые служат ориентирами для совмещения фотошаблона с кремниевой пластиной. [15]
Страницы: 1 2