Диодная фиксация

Cтраница 1

К определению параметров инвертора с фиксацией коллекторного напряжения. [1]

Диодная фиксация стабилизирует выходное напряжение UKUl при изменении нагрузки. [2]

Одностабильная схема Т отрицательной ОТНОСИ-на плоскостных триодах. тельно земли и, таким обра. [3]

На практике диодная фиксация также легко применима в одностабильных и нестабильных схемах. [4]

Чтобы наглядно показать процессы в каскаде с диодной фиксацией коллекторного напряжения и не прибегать к громоздким формулам, примем, что процесс включения - быстрый, ток эмиттера активного транзистора не слишком мал и гп тт. [5]

Другим способом подавления динамического и статического смещения является диодная фиксация потенциалов баз закрытых сверху триодов - например, шунтирование входов германиевых транзисторов кремниевыми диодами. В триггерах на дрейфовых триодах такая фиксация получается автоматически из-за пробоя эмиттерного перехода, который происходит при довольно низких обратных напряжениях. Так как обратный ток эмиттерного перехода при этом ограничен небольшой величиной, пробой перехода безопасен. [6]

Однако поскольку главная опасность пробоя состоит в большом токе базы, использование дрейфовых транзисторов, независимо от наличия или отсутствия диодной фиксации, часто сопровождается включением так называемых защитных диодов ( рис. 15 - 22), обратный ток которых ограничивает ток базы. [7]

Однако, поскольку главная опасность пробоя состоит в большом токе базы, использование дрейфовых транзисторов независимо от наличия или отсутствия диодной фиксации обычно сопровождается включением так называемых защитных диодов ( рис. 14 - 22), обратный ток которых ограничивает ток базы. [8]

Двухстабильная схема на плоскостных триодах с диодной фиксацией. [9]

В этой схеме стабильные состояния определяются диодными фиксирующими цепями и не зависят от нелинейных свойств кристаллического триода, как в схеме триггера без диодной фиксации. [10]

К определению нагрузоч-ной способности простого инвер. [11]

Следовательно, повышение нагрузочной способности ключа ОЭ требует в первую очередь снижения его выходного сопротивления при запертом транзисторе, чего добиваются применением усложненных выходных каскадов, содержащих 3 - 4 транзистора, или диодной фиксации напряжения на коллекторе запертого транзистора. [12]

Диодная фиксация нижнего уровня применена, как обычно, для снижения выходного сопротивления ВПЭ. [13]

Основным назначением цепи VD2, E2, фиксирующей выходное напряжение при закрытом состоянии транзистора, является стабилизация мвых при наличии нагрузки Кяз. Диодная фиксация закрытого состояния транзистора применяется в ключах, когда важно иметь высокую нагрузочную способность. Цепь VDi, Е, фиксирующая открытое состояние транзистора, делает ключ более быстродействующим. Сами диоды VDi и VD2 в ключах с фиксацией должны быть малоинерционными. [14]

Среди них схемы с эммиттерной связью, с автоматическим смещением, схемы, построенные на ненасыщенных транзисторных ключах: с нелинейной обратной связью, с диодной фиксацией и другие. [15]

Страницы: 1