Волна - смещение
Cтраница 3
При RH 0 ( рис. 2, а) сварочный наконечник свободен. Волна смещения устанавливается таким образом, что амплитуда наконечника св максимальная. [31]
Она возникает в случае, если сагиттальная плоскость перпендикулярна кристаллографической оси второго или более высокого четного порядка. В этой пьезоактивной волне смещения перпендикулярны сагиттальной плоскости. Она имеет сходство с плоской SH - волной в изотропном полупространстве, однако здесь из-за пьезоэффекта возникает связь волны с поверхностью. Величина данной связи не слишком велика. Так, даже в сильных пьезоэлектриках, например в сульфиде кадмия, типичное значение глубины проникновения составляет 4 длины волны для металлизированной и 44 длины волны для свободной поверхностей. Скорость весьма близка к скорости медленных поперечных волн. Для той же ориентации существует также отдельное решение вида непьезоактивной рэлеевской волны со смещениями в сагиттальной плоскости. [32]
Разберем, как образуется поперечная волна. В такой волне смещения колеблющихся точек направлены перпендикулярно скорости распространения волны. [33]
Если ограничиться квадратичными по и / а членами разложения, то энергия твердого тела есть сумма энергий отдельных волн, а свойства волн могут быть легко выведены, если известны силы взаимодействия между атомами. Как и любая волна, волна смещений характеризуется длиной волны К и частотой со. Частота зависит от длины волны и от направления ее распространения. [34]
Процесс пластического течения в кристалле осуществляется эстафетным механизмом в результате возникновения механического поля вихревой природы. Механическое поле в кристалле распространяется в виде волн смещений и поворотов. Поэтому в кристалле в любые, произвольно выбранные моменты времени могут существовать места разрядки, где полностью прошла релаксация напряжений от внешнего источника, и места с наиболее ярко протекающими процессами пластической деформации. Это приводит к возникновению мод вращения объемов материала и фрагментированию кристалла на малые объемы. Границы возникающих областей служат зонами заторможенного сдвига, где возникает наибольшая плотность дефектов. В этих областях происходит самоорганизованный процесс аккомодации энергии из условия сохранения сплошности. Эстафетное распространение деформации характеризуется тем, что любой сдвиг сопровождается эффектом поворота. [35]
Сдвиг фаз а обусловлен, с одной стороны, тем, что отраженная волна проходит путь от х до конца трубы и обратно, а с другой - тем, что изменение фазы может происходить при отражении от границы трубы. В частности, в случае отражения от жесткой стенки волна смещений А отражается с поворотом фазы на я, а в случае открытого конца трубы волна смещений отражается без изменения фазы, но с некоторым уменьшением амплитуды. [36]
Стержень, закрепленный в обоих концах. В этом случае на концах стержня должны образоваться узлы волны смещений. [37]
Твердое тело кристалла воспринимается как вместилище газа фононов - квантов волн смещений. Число фононов растет с ростом температуры. [38]
 |
Зависимость частоты колебаний о. [39] |
Знание свободной энергии позволяет вычислить все термодинамич. Для простых решеток v 1, причем нормальное колебание представляет собой волну смещений атомов из положения равновесия. Каждая волна характеризуется волновым вектором k и частотой со. Эту зависимость обычно паз. Периодичность в расположении атомов приводит к тому, что все величины, зависящие от k, в кристалле оказываются также перио-дич. [40]
В результате образования дислокации по обе стороны плоскости скольжения возникло искаженное состояние кристаллической решетки с нарушением порядка идеальных связей между атомами. Теперь достаточно будет приложить небольшое внешнее усилие Р, чтобы вызвать распространение волны последовательных частных смещений вертикальных рядов атомов над плоскостью скольжения АА, не превосходящих по величине одного межатомного расстояния. В результате прохождения этой волны дислокация, как своеобразная эстафета, будет последовательно передаваться рядам атомов 3, 4 и в некоторый момент займет положение, представленное на фиг. В итоге же передачи движения от частного смещения ряда атомов 1 дислокация выйдет на поверхность и исчезнет, как это показано на фиг. [41]
В то же время для колебаний решетки, как и для квантов электромагнитного излучения, характерен корпускулярно-волновой дуализм. Корпускулярный аспект колебаний решетки приводит к понятию ф о н о н а, и прохождение волны смещения атомов в кристалле можно рассматривать как движение одного или многих фононов. [42]
В терминах динамической теории кристаллической решетки ответ представляется очевидным: это - нормальная координата, отвечающая той точке k fe0, в которой кривая o2 ( k) коснется оси k при температуре перехода в несоразмерную фазу ( T - TJ. Следует, однако, иметь в виду, что при удалении от точки перехода волновой вектор, определяющий волну смещений атомов в несоразмерной фазе ( точнее - его отношение к параметру элементарной ячейки кристалла) может изменяться, и, следовательно, роль параметра порядка будет переходить от одной нормальной координаты к другой. [43]
Граничные условия, которые использовались при рассмотрении колебательного состояния стержней, являются предельным случаем граничных условий отражения волн, изложенных на стр. Как было выяснено ранее, при отражении от границы, отделяющей среду от среды с большим сопротивлением, происходит отражение волны смещения с потерей полволны. Если стержень закреплен, то волна вовсе не проникает во вторую среду. [44]
Сдвиг фаз а обусловлен, с одной стороны, тем, что отраженная волна проходит путь от х до конца трубы и обратно, а с другой - тем, что изменение фазы может происходить при отражении от границы трубы. В частности, в случае отражения от жесткой стенки волна смещений А отражается с поворотом фазы на я, а в случае открытого конца трубы волна смещений отражается без изменения фазы, но с некоторым уменьшением амплитуды. [45]
Страницы: 1 2 3 4