Cтраница 1
Плоская электронная волна при этом рассеивается, создавая определенное распределение вероятностей движения электрона в новых направлениях. [1]
Движение электрона в кристалле можно описать более наглядно, воспользовавшись представлениями кинетической теории газов. По аналогии с этой теорией можно представить себе, что электрон движется некоторое время прямолинейно и поступательно, с ускорением, сообщаемым ему электрическим полем. Пройдя некоторое расстояние /, которое принято называть длиной свободного пробега, электрон встречает искажение решетки, нарушающее правильность его движения и отбрасывающее его в другом направлении. С точки зрения волновых представлений это соответствует рассеянию плоских электронных волн, выражающих прямолинейное движение с постоянной скоростью. Рассеяние волны дает распределение вероятностей движения электрона в новых направлениях. Электроны подчинены в кристаллической решетке квантовым законам изменений импульса и энергии. [2]
Итак, чтобы рассчитать длину пробега I, необходимо знать радиальную функцию распределения g ( 2) ( г) и формфактор U. Определение последнего возможно, например, с помощью формализма псевдопотенциала и модельных эффективных потенциалов. Идея этого метода заключается в том, что истинный потенциал в окрестности ионных остатков заменяется эффективным потенциалом, слабо меняющимся в зависимости от г, но дающим в борновском приближении правильную картину рассеяния электронов. При этом реальные атомы заменяются псевдоатомами, носящими слабый эффективный потенциал. Задача определения свойств электронного газа сводится к описанию рассеяния плоских электронных волн квазирешеткой псевдоатомов. [3]