Cтраница 1
Плоскость поляризации генерируемой волны монотонно поворачивается на угол 9 ( Я) при изменении магнитного поля Н от 0 до значения поля, когда циклотронный радиус орбиты для всех групп носителей становится существенно меньше длины волны звука. На монотонный ход зависимости 6 ( Н) влияют резонансные особенности, обусловленные резонансами трансформации. [1]
Кривые напряжений и токов в лампе с учетом угла пролета электронов. [2] |
При укорочении длины генерируемой волны на работу лампы начинает влиять время пролета электронов между электродами лампы. Когда сеточное напряжение переходит через нуль в положительную область, в течение некоторой части периода ДГ электроны летят между катодом и сеткой, индукционный ток в цепи анода почти равен нулю, так как сетка экранирует электроны от анода. Через время ДГ, когда первые электроны пролетят через сетку в пространство между анодом и сеткой, в цепи анода появится индукционный ток, который будет продолжаться и после того, как сеточное напряжение станет отрицательным, пока последние электроны, находящиеся между сеткой и анодом, не долетят до анода. Следовательно, анодный ток отстает от сеточного напряжения на некоторый угол р, соответствующий времени ДГ. [3]
Кривые напряжений и токов в лампе с учетом угла пролета электронов. [4] |
При укорочении длины генерируемой волны на работу лампы начинает влиять время пролета электронов между электродами лампы. Когда сеточное напряжение переходит через нуль в положительную область, в течение некоторой части периода Д7 электроны летят между катодом и сеткой, индукционный ток в цепи анода почти равен нулю, так как сетка экранирует электроны от анода. Через время ДТ, когда первые электроны пролетят через сетку в пространство между анодом и сеткой, в цепи анода появится индукционный ток, который будет продолжаться и после того, как сеточное напряжение станет отрицательным, пока последние электроны, находящиеся между сеткой и анодом, не долетят до анода. Следовательно, анодный ток отстает от сеточного напряжения на некоторый угол р, соответствующий времени ДГ. [5]
Здесь h отвечает за амплитуду генерируемой волны, а с помощью подбора Т удается почти полностью избавиться от дисперсионного хвоста. [6]
Зная зависимость скорости электронов от напряжения U0, можно для данной конструкции клистрона с длиной пространства группирования / гр и длиной генерируемой волны X определить режимы, при которых клистрон самовозбуждается и отдает максимальную мощность. [7]
Расстояние, на котором поле достигает максимума, обычно называемое длиной когерентности, / ког, равно Я / 2А / г, где Я - длина генерируемой волны. [8]
Резонатор является оптической системой, позволяющей сформировать стоячую электромагнитную волну и получить высокую интенсивность излучения, необходимую для эффективного протекания процессов вынужденного излучения возбужденных частиц рабочего тела лазера, а следовательно, когерентного усиления генерируемой волны. Оптические резонаторы в квантовой электронике не только увеличивают время жизни кванта в системе и вероятность вынужденных переходов, но и, так же как резонансные контуры и волноводы в классической электронике, определяют, спектральные характеристики излучения. [9]
Четырехволновое смешение, доминирующий параметрический процесс в волоконных световодах, генерирует спектральные боковые полосы, отстоящие от частоты накачки вплоть до 100 ТГц. Генерация спектральных компонент в этих областях обусловлена смешиванием двух или нескольких волн с частотами, сумма которых равна частоте генерируемой волны. Так, взаимодействие двух волн с частотами о и со2 может приводить к генерации вторых гармоник 2cOj и 2со2, третьих гармоник 3cot и Зсо2 и суммарных частот вида coj coj, 2cot ю2 и 2со2 M. Эффективность преобразования довольно низка, поскольку обычно для таких параметрических процессов трудно достичь фазового синхронизма. [11]
Четырехволновое смешение, доминирующий параметрический процесс в волоконных световодах, генерирует спектральные боковые полосы, отстоящие от частоты накачки вплоть до 100 ТГц. Генерация спектральных компонент в этих областях обусловлена смешиванием двух или нескольких волн с частотами, сумма которых равна частоте генерируемой волны. Так, взаимодействие двух волн с частотами iol и со2 может приводить к генерации вторых гармоник 2к1 и 2со2, третьих гармоник 3cOj и Зсо2 и суммарных частот вида кг со2, 2cOj со2 и 2со2 M. [13]
Однако основные черты эффекта, связанного с непараболичностью, описываются формулой (9.47); можно ожидать, что этот эффект будет доминировать при малых длинах волн в полупроводниках с прямыми переходами, тогда как нелинейность, связанная с временем релаксации, будет преобладать либо в области достаточно больших длин волн, либо в материале, у которого непараболичность зоны проводимости пренебрежимо мала. Хотя Ge и Si, казалось бы, относятся к последней категории, Ванг и Ресслер [781] показали, что нелинейная восприимчивость Ge n - типа на длине волны 10 мкм связана в основном с непараболичностью. В длинноволновой области неравенства ЮрТо, со / Го, costo, согАо 1 оказываются несправедливыми и знаменатель формулы (9.46) приводит к изменению фазы генерируемой волны в зависимости от частоты. [14]
Блок-схема генератора. [15] |