Флуктуация - тепловое движение
Cтраница 1
Флуктуации теплового движения имеют самые разнообразные формы и размеры, но число их тем больше, чем они короче. [1]
Флуктуации теплового движения атомов при повышении температуры могут привести к разрыву ковалентных связей в некоторых местах кристалла и освобождению электронов, которые могут теперь участвовать в проводимости. [2]
В результате флуктуации теплового движения молекул полимера напряжения на дефектах могут достигать значений, достаточных для разрыва химических связей. [3]
Количественный учет влияния флуктуации теплового движения на прочность полимеров был сделан Гулем, Сидневой и До-гадкиным [ 15, с. [4]
 |
Определение характера проводимости у твердых тел. [5] |
В действительности же вследствие флуктуации теплового движения отдельные ионы получают энергию, большую ее среднего значения. Если эта энергия превышает энергию связи иона в узле решетки, то ион срывается со своего положения равновесия. При этом возникают дефекты решетки в виде пустых узлов, а освобожденные ионы получают возможность перемещаться по кристаллу. [6]
Я в атомных решетках флуктуации теплового движения нейтральных атомов и искажают то строго периодическое поле, в котором движутся электроны, но количественно эффект рассеяния на таких флуктуациях значительно слабее, чем на поляризационных колебаниях ионных решеток. Частоты акустических колебаний также отличаются от частот поляризационных стоячих волн, поэтому и условия обмена энергии с решеткой в обоих случаях существенно отличны. [7]
Хотя в атомных решетках флуктуации теплового движения нейтральных атомов и искажают то строго периодическое поле, в котором движутся электроны, но количественно эффект рассеяния на таких флуктуациях значительно слабее, чем на поляризационных колебаниях ионных решеток. Частоты акустических колебаний также отличаются от частот поляризационных стоячих волн, поэтому и условия обмена энергии с решеткой в обоих случаях существенно отличны. Однако во всех рассмотренных до сих пор случаях подвижность с понижением температуры растет, хотя и по разным законам. [8]
Величина X лимитируется рассеянием фононов на флуктуациях теплового движения и на дефектах кристалла. [9]
Величина Гф лимитируется рассеянием фононов на флуктуациях теплового движения и на дефектах кристалла. [10]
Основным, присущим всем проводникам источником рассеяния электронных волн служат флуктуации теплового движения решетки кристалла. [11]
Основным источником рассеяния электронных воли, присущим всем проводникам, служат флуктуации теплового движения решетки кристалла. [12]
Рассеяние электронных волн может происходить не только на резких неоднородностях электрического поля, вызванных флуктуациями теплового движения ионов, но и на еще более резких искажениях поля, создаваемых посторонними ионами примеси. Если число таких ионов велико, как это имеет место в сплавах, представляющих собой твердые растворы, то подвижность электронов и электропроводность уменьшаются. Как правило, сплавы металлов обладают большим удельным сопротивлением и меньшим температурным его коэффициентом, чем чистые металлы. [13]
В твердых диэлектриках ионного строения электропроводность обусловлена главным образом перемещением ионов, освобождаемых под влиянием флуктуации теплового движения. При низких температурах передвигаются слабо закрепленные ионы, в частности ионы примесей. При высоких температурах освобождаются и некоторые ионы кристаллической решетки. [14]
В твердых диэлектриках ионного строения электропроводность обусловлена главным образом перемещением ионов, освобождаемых под влиянием флуктуации теплового движения. При низких температурах передвигаются слабозакрепленные ионы, в частности ионы примесей. При высоких температурах освобождаются и некоторые ионы из узлов кристаллической решетки. [15]
Страницы: 1 2 3