Тепловая флуктуация

Cтраница 4

Слабосвязанные ионы в результате тепловых флуктуации могут переходить из одного положения равновесия в другое, преодолевая потенциальные барьеры. В отсутствие внешнего электрического поля такие перемещения являются случайными и диэлектрик остается неполяризованным. [46]

В первом варианте ввиду тепловых флуктуации, возникают различного рода точечные ( одиночные вакансии и их скопления, междоузельные атомы) и линейные дефекты. Находящиеся в тепловом равновесии точечные дефекты при быстром охлаждении до достаточно низких температур могут быть заморожены. В результате достигается обычная избыточная для данной температуры концентрация дефектов за счет закалки. При закалке до высоких температур вакансия может совершить большое число переходов, что приводит к появлению скоплений вакансий, возникающих обычно вблизи дислокаций. Такие скопления могут рас-средотачиваться лишь за счет самодиффузии. [47]

Рыто в, Теория равновесных тепловых флуктуации в электродинамике, 1967, 308 стр. [48]

Понятно, что влияние тепловых флуктуации света заключается в появлении поправочного вклада в скорость совпадений с, по сравнению со случайной скоростью RiR T а возможность детектирования этой поправки строго зависит от отношения ТС / ТГ. [49]

Распад информации, вызванный тепловыми флуктуациями. [50]

В первую очередь разрываются тепловыми флуктуациями цепи с наименьшей длиной /, что приводит к увеличению длины аморфной области и перераспределению нагрузок по неразорванным цепям. Это происходит до тех пор, пока нагрузка на цепь не станет больше критической. Дальнейшее разрушение происходит атермически. [51]

Второй причиной магнитного последействия является тепловая флуктуация, которая помогает граничным слоям, разделяющим домены, преодолевать энергетические препятствия, мешающие их смещению. Действие тепловой флуктуации сводится к тому, что в месте флуктуации намагниченность изменяется; последнее приводит к появлению внутреннего поля рассеяния. Это поле может быть направлено навстречу внешнему приложенному полю Н или совпадать с ним по направлению. Флуктуационное смещение обратимо, если граница, переместившись из точки D в точку А, после исчезновения флуктуации возвращается в исходное место, обусловленное внешним полем. Если флуктуация велика, суммарное поле может оказаться достаточным для преодоления барьера dj / dx в точке А ( см. рис. 13.3), при этом произойдет скачек Баркгаузена и граница необратимо переместится до положения С. Так как флуктуации статистически возникают по всему объему образца, перемещение границ происходит в микрорайонах доменов и суммарный рост намагниченности образца идет плавно во времени. До тех пор пока имеются невысокие барьеры dj / dx, этот процесс протекает быстро, а затем все медленнее, поскольку остаются лишь высокие барьеры. [52]

Предполагается, что под влиянием тепловых флуктуации часть стабилизированных радикалов может превращаться в активные и вступать в реакцию. Скорость этого процесса, аналогичного реакции разветвления, с константой скорости k, характеризует второй член. [53]

Френкель предположил, что вследствие тепловых флуктуации ионы могут приобрести энергию, достаточную для того, чтобы покинуть нормальные положения в узлах решетки и перейти ( испариться) в межузельные положения. [54]

Он предположил, что вследствие тепловых флуктуации ионы могут приобрести энергию, достаточную для того, чтобы покинуть нормальные положения в узлах решетки и перейти ( испариться) в межузельные положения. Межузельные ионы способны перескакивать из одного межузельного положения в другое. Оставшиеся вакантными узлы решетки также совершают перескоки, поскольку соседние ионы могут занимать эти вакансии, освобождая узлы решетки. В ходе перемещений межузельные ионы и вакансии могут встречаться и рекомбинировать. Число межузельных ионов увеличивается с температурой. Межузельные ионы легче образуются в решетках с большими пустотами, а ионы малого размера легче переходят в межузельные положения, чем большие ионы. Комбинация вакансии и иона в межузлии называется дефектом по Френкелю. Концентрация этих дефектов пропорциональна ехр ( - Eg / 2kT), где Eg - энергия, - необходимая для перевода иона из узла решетки в межузлие. Классическим примером соединения с дефектами по Френкелю может служить хлорид серебра. Сравнительно небольшие по размеру ионы серебра переходят в межузельные положения и обусловливают чисто катионную проводимость кристаллов AgCl. [55]

По мере увеличения напряжения влияние тепловых флуктуации на возможность смещения дислокаций уменьшается и движение дислокаций, а также скорость их движения в основном определяются величинами действующих напряжений. [56]

Структура атомно-гладкой грани со ступенью ( грань куба кристалла. [57]

Сами по себе за счет тепловых флуктуации ступени на гладких гранях возникать практически не могут. [58]

Предполагалось, что в результате тепловых флуктуации значения f распределены по нормальному закону. [59]

Страницы: 1 2 3 4