Фокусирование - луч
Cтраница 1
Фокусирование луча в кинескопе должно обеспечить диаметр пятна на экране не более 0 5 мм для больших экранов и не более 0 3 мм для экранов небольшого ( до 30 - 40 см) размера. Диаметр светящегося пятна на экране определяет разрешающую способность кинескопа, зависящую от числа воспроизводимых на экране элементов изображения. В кинескопах с небольшим экраном для уменьшения искажения изображения обычно применяют комбинированную фокусирующую систему, состоящую из первой электростатической и второй магнитной линзы, образуемой короткой катушкой. В кинескопах с большим экраном используют более экономичную электростатическую фокусировку. Ко второму аноду электронного прожектора кинескопа подводят высокое ( 5 - 25 кВ) напряжение, обеспечивающее значительное ускорение электронов и необходимую яркость изображения. [1]
Фокусирование луча в кинескопе должно обеспечить диаметр пятна на экране не более 0 5 мм для больших экранов и кс более 0 3 мм для экранов небольшого ( до 30 - 40 см) размера. Диаметр светящегося пятна на экране определяет разрешающую способность кинескопа, зависящую от числа воспроизводимых на экране элементов изображения. В кинескопах с большим экраном используют более экономичную электростатическую фокусировку. Ко второму аноду электронного прожектора кинескопа подводят высокое ( 5 - 25 кВ) напряжение, обеспечивающее значительное ускорение электронов и необходимую яркость изображения. [2]
 |
Схема формирования излучения с помощью цилиндрической оптики. [3] |
При фокусировании луча ОКГ цилиндрической оптикой [13] можно получать профиль обработанного материала, отличный от круга. Особенно эффективно использование этого способа при упрочнении различных протяженных изнашивающихся острых кромок деталей машин и металлорежущих инструментов. [4]
Магнитно-фокусирующая линза 4 предназначена для фокусирования луча до диаметра Ч) 5 и даже 0 01 мм посредством бесступенчатого регулирования фокусного расстояния, а электромагнитное отклоняющее устройство 5 - для перемещения электронного луча по обрабатываемой поверхности. [5]
Магнитная линза 4 предназначена для фокусирования луча до необходимого диаметра на поверхности заготовки ( минимальный диаметр достигает 0 01 мм) а отклоняющее устройство 5 - для перемещения электронного луча по обрабатываемой поверхности. [6]
 |
Устройство электронных пушек.| Отклоняющие пластины, а - i косо расставленные. б - изломанные. s - изогнутые. [7] |
В трубках с магнитным управлением фокусирование луча осуществляется неоднородным магнитным полем короткой катушки. [8]
Магнитно-фокусирующая линза 4 предназначена для фокусирования луча до диаметра 0 5 и даже 0 01 мм посредством бесступенчатого регулирования фокусного расстояния, а электромагнитное отклоняющее устройство 5 - для перемещения электронного луча по обрабатываемой поверхности. [9]
Высокие требования предъявляются к качеству фокусирования луча, так как диаметр светящегося пятна на экране определяет разрешающую способность кинескопа, зависящую от числа воспроизводимых на экране элементов изображения. Диаметр пятна на экране кинескопа не должен быть более 0 5 мм для больших экранов, и не более 0 3 мм для экранов небольшого ( 30 - 40 см) диаметра. В кинескопах с небольшим экраном используется обычно фокусирующая система, состоящая из первой электростатической линзы и второй магнитной линзы, образуемой короткой катушкой. [10]
 |
Электрическое и магнитное поля в приборах с плоской ( а и цилиндрической ( б конструкцией электродов. [11] |
В последнее время для ламп бегущей и обратной волны разрабатываются электростатические системы фокусирования луча. Примером лампы с центробеж-но-электростатической фокусировкой ( ЦЭФ) может служить цэфатрон ( рис. 1 - 38) - лампа бегущей волны, в которой электроны движутся внутри замедляющей системы по спиральной траектории. Такое движение достигается за счет ввода электронов в замедляющую систему под некоторым углом и последующего их движения в поле цилиндрического конденсатора, образуемого самой спиралью и металлической струной, расположенной по оси спирали. [12]
 |
Схемы трохотро-нов. [13] |
Управляющая сетка / позволяет менять плотность электронного потока; экранирующая сетка 3 улучшает фокусирование луча и ослабляет связь между соседними анодными пластинами. [14]
 |
Схема взаимодействия лазерного излучения с веществом. / - нагрев. / / - плавление. / / / - испарение. [15] |
Страницы: 1 2 3