Форма - кривая - поглощение
Cтраница 3
Энергия возбуждения я-электронов кратных связей существенно меньше энергии возбуждения простых связей, и поглощение, отвечающее переходам л-электронов, находится в области 180 - 190 нм. Таким поглощением характеризуются молекулы, содержащие несопряженные двойные и тройные углерод-углеродные связи. Форма кривой поглощения и положение ее определяются как числом, так и взаимным расположением алкильных заместителей. Каждая ал-кильная группа, вводимая к углеродным атомам двойных связей, вызывает изменение максимума поглощения на - 5 нм в длинноволновую сторону. Накопление в молекуле сопряженных двойных связей вызывает сдвиг поглощения в длинноволновую сторону на - 30 нм на каждую вводимую двойную углерод-углеродную связь. [31]
Рассмотрим зависимость Q - и / / от и я для некоторых характерных типов прецессии в случае сферы ( а 1, о - ) ( см - СТР - 463 настоящего сборника. Заметим, что случай сферы отличается наличием вырождения двух типов прецессии, которое будет рассмотрено в следующем параграфе. Можно ожидать, что это вырождение скажется на форме кривой разонансного поглощения, если однородная прецессия будет связана с этими вырожденными типами прецессии через неоднородности кристаллической решетки или вследствие явлений нелинейности. [32]
В валентной зоне остается глубоко лежащая дырка, которая совершает переход в состояние вблизи потолка валентной зоны, где k0, и одновременно испускает или поглощает фонон. Формула Бардина - Блэтта - Холла для коэффициента поглощения включает оба типа переходов, однако она обладает тем недостатком, что в ней отсутствует явное разделение на процессы, идущие с поглощением фонона, и на процессы, идущие с испусканим фонона. Вместе с тем, какпоказали Макферлан и Роберте [9], для объяснения формы кривой поглощения в случае Ge и Si такое разделение необходимо. [33]
Углеграфитные материалы, в том числе и нефтяные коксы, являются объектами, изучение парамагнетизма которых натал-кивается на указанные трудности. Расчеты и эксперименты показали, что размер частиц кокса, подвергаемого исследованию, не должен превышать 0 1 мм. Однако обычное диспергирование кокса до фракции 0 1 мм хотя и вело к исчезновению дайсо-новской формы кривой поглощения [1], не обеспечивало воспроизводимости получавшихся результатов. При постоянной ширине линии интенсивность сигнала и тепловые потери СВЧ-энергии ( ДСВЧ) колебались в широких пределах, это объясняется большой и различной степенью контактирования частиц кокса между собой. Для того чтобы предотвратить это явление, было исследовано диспергирование кокса токонепроводящими порошками и жидкими углеводородами. [34]
Углеграфитные материалы, в том числе и нефтяные коксы, являются объектами, изучение парамагнетизма которых натал-кивается на указанные трудности. Расчеты и эксперименты показали, что размер частиц кокса, подвергаемого исследованию, не должен превышать 0 1 мм. Однако обычное диспергирование кокса до фракции [ 0 1 мм хотя и вело к исчезновению дайсо-невской формы кривой поглощения [1], не обеспечивало воспроизводимости получавшихся результатов. При постоянной ширине линии интенсивность сигнала и тепловые потери СВЧ-энергии ( ДСВЧ) колебались в широких пределах, это объясняется большой и различной степенью контактирования частиц кокса между собой. Для того чтобы предотвратить это явление, было исследовано диспергирование кокса токонепроводящими порошками и жидкими углеводородами. [35]
Спектральные данные показывают, что спектры 4-аминоазобензола и замещенных в фенилазогруппе 4-фенилазо - 1-нафтиламинов, а также их арилртутных производных весьма сходны со спектрами N, N-диметилзамещенных. Форма спектральной кривой остается неизменной в области 20000 - 30000 см - при переходе от одного соединения к другому. Происходит лишь некоторое изменение интенсивности поглощения и сдвиг максимумов. Нами было найдено также, что для замещенных в фенилазогруппе 4-фенилазо - 1-нафтиламинов форма кривой поглощения не зависит от заместителя в фенилазогруппе. [36]
Такую схему простейшим образом можно реализовать, отразив часть сильного луча навстречу самому себе, как это показано на рис. 4.1. Оба луча имеют одинаковую частоту и взаимодействуют с разными группами атомов, проекции скоростей которых на направление распространения излучения противоположны по знаку. Это схематически показано на рис. 4.2 для случая, когда частота поля отстроена от частоты перехода. За счет большой интенсивности провал на кривой, вызванный сильным полем, гораздо глубже, чем в случае слабого поля. Разрешение ограничено полевым уширением линии, но так как пробное поле слабое, удается прописать всю форму кривой насыщенного поглощения. [37]
 |
Расчетная зависимость мощности проходящего через образец СВЧ-излучения от толщины пластины Ls. Длина волны электромагнитного излучения в образце принималась равной 0 5 - 10 - J. [38] |
При изучении резонансных явлений с X 2 мм возникают сложности из-за интерференции электромагнитных волн на образце. Если исследуемый образец имеет толщину около 1 мм, то интерференция волн, отразившихся от противоположных граней образца, приводит к весьма сложной зависимости амплитуды сигнала от поля вблизи резонанса. Поэтому в зависимости от толщины образца и рабочей частоты форма линии поглощения при развертке по полю может быть различна ( кривая поглощения, кривая дисперсии или их суперпозиция), что усложняет интерпретацию получаемых экспериментальных данных. Следовательно, необходимо использовать образцы в виде пластин, толщина которых на порядок меньше длины волны падающего излучения, при этом форма линии поглощения будет близка к форме кривой поглощения. [39]
Страницы: 1 2 3