Cтраница 1
Форма растущих кристаллов определяется составом сплава, наличием примесей и условиями охлаждения. В большинстве случаев при кристаллизации металлов механизм образования кристаллов носит так называемый дендритный характер. [1]
В результате правильность формы растущих кристаллов нарушается. Получаются группы кристаллов неправильной формы, называемые зернами. [2]
Форма зародышей определяет форму растущих кристаллов лишь пока они окружены жидкостью. [3]
В работе [2] исследовано влияние температурных градиентов на форму растущих кристаллов, в [3] описаны особенности внешнего вида бездислокационных монокристаллов кремния установлено, что их характеризует значительная асимметрия поперечного сечения, более широкие явные грани на боковой поверхности монокристалла и более глубокая винтовая нарезка, а при переходе от бездислокационного участка к участку с дислокациями наблюдается уменьшение диаметра выращиваемого монокристалла. Эти особенности проявляются независимо от способа выращивания и диаметра монокристалла. [4]
В некоторых случаях рН водного раствора оказывает влияние на форму растущего кристалла. Сульфат меди, например, который обычно кристаллизуется в форме больших гранул, может кристаллизоваться в форме тонких пластинок из кислого раствора. Вообще величина рН не считается одним из важных факторов, оказывающих влияние на форму кристалла. [5]
С) Тепловые потоки безусловно влияют на ориентацию и форму растущих кристаллов, однако, это влияние по сути - лишь проявление более общих закономерностей. [6]
Возможно, что аналогия решеток оказывает влияние на некоторые характеристики эпитаксического роста, в частности на толщину монокристального слоя, на температуру появления ориентировки, а также на форму растущих кристаллов. [7]
Другими словами, рост кристалла при небольших пересыщениях идет таким образом, как будто на поверхности всегда имеются незаполненные плоскости и нет нужды в образовании однослойных зародышей. Эта предсказанная теоретически форма растущего кристалла была вскоре обнаружена экспериментально для ряда веществ при помощи фазоконтрастных устройств и электронного микроскопа. [8]
Большинство авторов связывает изменение формы растущего кристалла с избирательной адсорбцией примесей некоторыми гранями кристалла, что блокирует приток к ним питательного вещества, уменьшая скорость их роста и приводя тем самым к модификации формы кристаллов. По нашему мнению, растворимые примеси и рН среды оказывают существенное влияние на ту или иную способность дегидратации ионов и молекул в образовании из них блоков, являющихся строительным материалом для растущего кристалла. [9]
Необходимо знать еще и форму растущих кристаллов. С этой целью кинетические исследования дополняют исследованиями структуры. Это объясняется наложением гомогенного и гетерогенного механизмов зарождения кристаллической фазы, изменением формы структурных образований в процессе роста, влиянием на форму изотерм кристаллизации моле-кулярно-массового распределения полимера. [10]
Необходимо отметить, что изображенная здесь картина роста кристалла чрезвычайно упрощена. В частности, мы предполагали, что форма растущего кристалла идеально правильная. Растущие реальные кристаллы всегда обнаруживают отклонения от такого идеального строения, в особенности при заметных пересыщениях. [11]
Отсутствие полного количественного совпадения экспериментальных и теоретических данных указывает на чрезмерное упрощение классического подхода ко вторичному зародышеобразованию. Возможно даже, что в некоторых случаях образование вторичных зародышей не является необходимым вследствие значительного отклонения в микроскопическом масштабе формы растущего кристалла от идеальной равновесной формы ( разд. [12]
Сопоставление особенностей в строении граней больших кристаллов, обычно многогранно и неправильно оформленных, с наблюдениями правильного слоеобрэ зования при росте граней малых кристаллов, часто обладающих простыми формами куба, октаэдра или их несложными комбинациями, указывает, что существенными элементами в механизме преобразования формы кристалла, при росте его из простой в сложную являются именно эти элементарные слои роста. Следствием искажения формы элементарного слоя и возникающей кривизны или флуктуационного распадения грани является изменение естественных конвекционных потоков, усиливающих и ускоряющих начавшееся искажение формы растущего кристалла. [13]
Кристаллик, введенный в переохлажденный расплав, температура которого поддерживается вблизи точки плавления, можно заставить расти с очень малой скоростью. В таких условиях кристалл, как правило, растет, сохраняя правильную огранку, соответствующую его внутреннему строению. Форма растущего кристалла в этих условиях зависит от соотношения скоростей роста его граней. При увеличении переохлаждения скорость роста может повышаться, как отмечалось выше, но не в одинаковой мере для различных граней. По этой причине при изменении степени переохлаждения часто изменяются и формы роста; могут исчезать одни грани и появляться другие. [14]
При наличии в расплаве примесей, не образующих твердых растворов с основным веществом и не являющихся поверхностно-активными веществами, скорость роста граней кристаллов сильно зависит от скорости диффузии примеси в объеме жидкой фазы. Если расплав охлаждается достаточно медленно, то примесь, оттесняемая растущей гранью, успевает путем диффузии отводиться от границы раздела фаз в глубь расплава. В этом случае форма растущего кристалла мало зависит от концентрации примесей в жидкой фазе. [15]