Cтраница 3
Форма линий магнитного поля соответствует форме проводящих поверхностей, образующих волновод, и в непосредственной близости к проводящим стенкам линии поля располагаются вдоль этих стенок. Токи в стенках волновода всегда направлены перпендикулярно линиям магнитного поля, вследствие чего при описанном расположении линий магнитного поля токи в стенках волновода текут только в аксиальном направлении. [32]
![]() |
Геометрическая интерпретация целевой функции и ограничений. [33] |
Форма линий постоянного уровня, соответствующих разным значениям ck, при этом может быть существенно различной. [34]
Форма линии ЭПР-спектров монокристаллов, в частности ее ширина, определяется диполь-дипольным взаимодействием и временем жизни на данном уровне. Совершенно иначе обстоит дело тогда, когда в поликристаллическом порошке или в стеклообразном состоянии регистрируется спектр с анизотропной сверхтонкой структурой. Оси монокристаллов в данном случае ориентированы относительно внешнего магнитного поля равновероятно в любом направлении. Частота перехода для данной компоненты СТС зависит от ориентации, и общая ширина линии будет определяться величиной анизотропного СТ-взаимодействия, а форма линии - числом монокристалликов с одинаковой ориентацией относительно внешнего магнитного поля. [35]
Форма линии ЯМР системы полимер ( твердое тело) - низкомолекулярное вещество ( жидкость или газ) зависит от степени подвижности молекул низкомолекулярного вещества. [36]
![]() |
Геометрическая интерпретация целевой функции и ограничений. [37] |
Форма линий постоянного уровня, соответствующих разным значениям ck, при этом может быть существенно различной. [38]
Форма линии нулевого давления зависит через постоянную k от формы линии тока впереди. Исследование уравнения ( 4) показывает, что если на контуре в окрестности концевой точки давление отрицательное, то заведомо его концевой кусок можно заменить линией нулевого давления, касающейся в точке стыка. [39]
Форма линии дифференциальной испускательной способности является лоренцевой. При таком подходе пренебрегают тормозным излучением. Это пренебрежение справедливо вблизи центра линии, где преобладает циклотронное излучение. На далеких краях линии необходимо рассматривать только тормозное излучение. В промежуточном диапазоне частот, где эти два эффекта могут быть сравнимы по величине, их нельзя отделить друг от друга. Тогда теория, рассматривающая отдельно циклотронное излучение и отдельно тормозное излучение, несправедлива, и для нахождения испускания целесообразно использовать уравнение Больцмана и дисперсионное уравнение. Эта процедура аналогична той, которая была принята при нарушении условия v С со, поскольку тогда оба эффекта сравнимы по величине по всей ширине линии ( см. § 1 гл. [40]
Форма линии усиления активной среды играет при этом второстепенную роль. Для усилителей на неодимовых стеклах с большим значением а / ср наряду с усилением спонтанных квантов в полосе 1 06 мкм потери могут быть обусловлены и усилением квантов в полосе 1 35 мкм ( переход 4F3 / 2 - 4Ii3 / 2) - Хотя квантовый выход возбуждения в этой полосе у неодимовых стекол в 4 - 5 раз ниже, чем на основном переходе, и поперечное сечение усиления заметно меньше, в численных моделях лазеров эти потери следует учитывать. [41]
Форму линии, описываемой уравнением (3.113), принято называть Лорен-цовой формой. [42]
Форму линии, уширенной спин-спиновым взаимодействием, нелегко вычислить. [43]
![]() |
Формы линий, обусловленные столкновениями и уширением вследствие излучения и допплеровским уширением. Обе кривые имеют одинаковую полуширину Y. [44] |
Форму линии, обусловленной допплеровским уширением, легко найти следующим образом. [45]