Форма - резонансная линия
Cтраница 2
 |
Схема трансформации одно-компонентного ( а и двухкомпонент-ного ( б спектров ЯМР при наличии обмена. [16] |
Положение резонансной линии имеет большое значение, так как оно частично определяется электронной структурой вещества. Резонансная частота ядра, находящегося в магнитном поле, при отсутствии всех взаимодействий как между ядрами, так п между ядрами и электронами представляет собой свойство, присущее самому атомному ядру. Именно наличие взаимодействий с другими ядрами и электронами приводит к той частоте, которая наблюдается в опыте и вызывает изменение формы резонансной линии: вместо бесконечно узкой линии появляется характерная структура резонанса, его форма и ширина. [17]
Не разрешенные при комнатной температуре резонансные спектры растворов XeF2 и Хер4 дали сведения о наличии химического обмена F19 между фторидами и плавиковой кислотой. Медленный обмен ( с измеримой энергией активации) в случае XeFg выявляется при охлаждении образца. Для XeFe охлаждение образца вплоть до температуры замерзания раствора не приводит к расщеплению линий резонансного спектра. Единственная линия F19 в спектре раствора XeF6 смещается в зависимости от концентрации. В то же время никакого влияния на протонный резонанс растворенного XeF6 не было обнаружено. Форма резонансной линии фтора близка к лоренцевой кривой. Ширина резонансной полосы увеличивается с ростом концентрации растворенного вещества, приближаясь в пределе к величине 1200 гц. Найденная ширина резонансной полосы при нескольких концентрациях XeF6 свидетельствует о том, что изменение напряженности магнитного поля от 14 1 до 3 75 кгс не влияет на результаты. Совокупность этих фактов указывает на очень быстрый химический обмен фтором между XeFe и плавиковой кислотой. Концентрационная зависимость положения резонансной полосы F19 показывает, что среднее время жизни атома F19 в молекуле XeF6 должно быть меньше 10 мксек. [18]
Для поверхностей ( 111) н ( ПО) благодаря анизотропной и наклонной конфигурации долин движение электронов параллельно и перпендикулярно поверхности взаимосвязано. Поэтому межподзонные переходы могут быть вызваны параллельным поверхности электрическим полем. С другой стороны, если в условиях сильной деформации электроны занимают лишь две противоположные долины, спектр должен быть таким же, как в волноводной геометрии. Было показано, что особенности спектра сложным образом зависят от симметрии основного состояния и размера доменов. Путем сравнения формы резонансных линий для различной геометрии опыта можно определить, какая из предложенных моделей основного состояния реализуется в действительности. В этом направлении уже имеются некоторые экспериментальные достижения ( [327, 1175]; KamgarA. [19]
Основываясь на формуле ( 8), мы проанализировали ширины линий, полученные при 4 К в образцах, на которых наблюдались самые острые линии. Времена релаксации для электронов были приблизительно изотропными, причем т ( Ge) 6 - 10 - u сек. Эти данные получены при оптическом возбуждении носителей. Линии не становятся заметно более острыми после откачки до 2 К, но возможно, что температура образцов была несколько выше. Коль скоро уровни мощности радиочастотного поля не превышали предела ионизации, зависимость ширины линий от уровня мощности не проявлялась. Форма электронных резонансных линий приблизительно гауссова, в то время как, согласно элементарной теории, она должна быть лоренцовой. [20]
Страницы: 1 2