Cтраница 1
Форма нахождения примесей в пробе в случае использования полого катода играет существенную роль. Для получения правильных результатов спектрального анализа эталоны должны возможно полнее соответствовать анализируемым пробам по химической форме микропримесей. [1]
Предложена методика определения форм нахождения примеси селена и основных компонентов в селенидах и сульфидах кадмия и цинка особой чистоты. Se ( IV) извлекают аммиачным буферным раствором ( рН 8 6) с последующей экстракцией хлороформом после добавления трилона Б и раствора фенилендиамина. Конечное определение проводят фотометрически с реагентом о-фенилендиамином. Общее содержание Se определяют иодометрически, содержание Са и Zn комплексометрически с индикатором сульфарсазеном, серу - комплексометрически титрованием избытка раствора ВаСЬ, взятого для осаждения сульфат-иона. [2]
На этой основе все многообразие загрязнений ( примесей) природных и промышленных вод разделено на четыре группы с общим для каждой группы набором методов водоочистки, предопределяемым формой нахождения примесей в воде. [3]
Как уже указывалось, контроль качества трихлорсилана, осуществляемый, как правило, с помощью химико-спектрального метода, не в полной мере характеризует его пригодность для производства поликристаллического кремния, так как этим методом не получают данных о форме нахождения примесей в трихлорсилане, и содержание многих из них ниже предела обнаружения метода. Поэтому наряду с химико-спектральным методом используют кварц-тест. [4]
Задача аналитика заключается в получении по возможности большего количества данных о составе атмосферной пыли в пункте, где отбиралась проба, с достаточной чувствительностью и точностью определений. Эта задача осложняется тем, что зачастую неизвестны форма нахождения примесей в воздухе, присутствие посторонних эле-ментов. [5]
Эта особенность является следствием неаддитивности сечения рассеяния. Спектральные методы анализа ( например, искровая масс-спектрометрия) неизбирательны к форме нахождения примесей в матрице. [6]
На примере анализа некоторых полупроводниковых ( арсенид галлия, карбид кремния) и вспомогательных материалов ( графит и др.) [341] показана возможность и целесообразность применения синтетических эталонов - смесей измельченного анализируемого материала с графитовым порошком, содержащим примеси в виде окислов. Показано, что в случае применения угольной дуги различия в структуре и формах нахождения примесей в образцах и эталонах устраняются, вследствие протекания в кратере графитового электрода реакций восстановления окислов за время, значительно меньшее, чем длительность экспозиции. Результатом этого процесса является единство состава спектрального излучения образцов и эталонов. [7]
Для спектрального анализа материалов высокой чистоты применяют, как правило, синтетические эталоны, материал которых получают синтезом компонентов основы и примесей. Иногда даже этот путь вызывает значительные трудности, главным образом, из-за отсутствия достаточно чистой основы или из-за существенных различий форм нахождения примесей в эталоне и анализируемом образце. Непременными условиями получения надежных синтетических эталонов являются: сохранение заданного расчетного состава в процессе его синтеза; установление состава по данным расчета; устранение возможных при синтезе систематических погрешностей с помощью спектральных методов корректировки состава, основанных на применении способа добавок. [8]
При создании структур с р - - переходами используется диффузионное введение примеси. Профиль распределения концентрации примеси при диффузии имеет вид плавной кривой, характер к-рой определяется: темп-рой и временем проведения процесса, толщиной слоя, из к-рого осуществляется диффузия, концентрацией и формой нахождения примеси в источнике, а также ее электрич. [9]
При росте температуры зависимость скорости отгонки от химической формы примеси и вида основы уменьшается. Если температура отгонки превышает температуру полного освобождения примесей [471], совпадающую с температурой разрыхления кристаллической решетки [1433], которая составляет 0 55 - 0 60 абсолютной температуры плавления основы, различие в форме нахождения примеси в основе уже не имеет значения. [10]
При росте температуры зависимость скорости отгонки от химической формы примеси и вида основы уменьшается. Если температура отгонки превышает температуру полного освобождения примесей [471], совпадающую с температурой разрыхления кристаллической решетки [1433], которая составляет 0 55 - 0 60 абсолютной температуры плавления основы, различие Р форме нахождения примеси в основе уже не имеет значения. [11]
Изучено влияние хим. формы нахождения микропримесей Si Б угольном порошке на интенсивность спектр, линий. Показано, что как в условиях дуги, так и в условиях разряда в полом катоде имеет место значительное изменение интенсивности линий от формы нахождения Si. Установлено, что в случае дуги присутствие носителей несколько уменьшает это влияние, но полностью его не устраняет. В случае полого катода добавка CdS почти полностью устраняет это влияние. При изучении других основ ( ТЮ2, PbO, MgO) хим. форма нахождения примесей Si не влияет на интенсивность спектр, линий. [12]