Форма - полоса - поглощение
Cтраница 2
Это приводит к большим искажениям формы полос поглощения и неправильным значениям коэффициента поглощения, измеренного в центре полосы. Поэтому полученные экспериментальные данные приводятся часто с указанием параметров прибора и условий регистрации спектра. [16]
 |
Узкие неперекрывающиеся полосы. поглощения QI и эмиссии Й2. [17] |
Для переходов между ядерными уровнями формы полос поглощения и эмиссии, а также их взаимное расположение иные, чем для электронных переходов. [18]
Существенное влияние на положение и форму полосы поглощения оказывает наличие водородной связи. Это особенно сказывается на колебаниях гидроксильной и аминогруппы, которые легко образуют водородную связь с карбоксильной, амино -, нит-ро - и другими группами. [19]
С помощью метода производящей функции рассматривается форма оптической полосы поглощения и вероятности безызлучательпых переходов локализованных электронов в диэлектриках и полупроводниках. Особое внимание уделяется температурной зависимости. Соответственно мы выбрали по возможности наиболее общую модель колебаний решетки, поскольку считается, что нормальные колебания в любых двух электронных состояниях различаются не только своими положениями равновесия, но и главными осями и частотами. Для безызлучательных переходов получены ( в сравнительно общих случаях) температурные зависимости вероятностей переходов в области высоких и низких температур. Показано, что в первом случае процесс происходит через активированный комплекс, а во втором-посредством туннельного перехода в решетке. Эти результаты применены для расчета вероятности термической ионизации локализованных электронов ( или дырок) и для вычисления эффективных сечений захвата свободных электронов ( или дырок) примесями в гомеополярных полупроводниках. Затем в области высоких температур рассмотрены переходы для случая самой общей модели, когда колебания решетки уже не считаются гармоническими. [20]
Так же как и интегральная интенсивность, форма полосы поглощения дает информацию о природе взаимодействия адсорбент - адсорбат. Приведенные Шеппардом и др. [47] контуры полос поглощения для т4 - колебания в бромистом метиле, адсорбированном на пористом стекле при 293 и 78 К, совпадали с предсказанными контурами полос поглощения, рассчитанными исходя из модели бромистого метила, в которой адсорбция на поверхности осуществляется по атому брома и молекула свободно вращается вокруг оси углерод - бром. Сужение контура по мере понижения температуры согласуется с представлением, по которому большая ширина полосы обусловлена вращением адсорбированной молекулы. [21]
На основе принципа Франка-Кондона развита количественная теория формы полос поглощения - центрами. Приняты два основных упрощающих предположения: а) кристаллическую решетку приближенно можно рассматривать как диэлектрический континуум; б) влияние - центров на колебательные волновые функции решетки можно рассматривать как влияние некоторого статического распределения заряда. В этих предположениях показано, что зависимость коэффициента поглощения от частоты и температуры может быть выражена с помощью функций Бесселя мнимого аргумента. Теоретические кривые для коэффициента поглощения при всех температурах очень хо рошо согласуются с экспериментальными. Рассматриваются также вероятности безыз-лучательных переходов. Вопрос о них важен в связи с фотопроводимостью, сопровождающей поглощение света - центрами. Наше рассмотрение отличается от более ранних качественных работ в одном важном пункте: учитывается сила взаимодействия между электроном и решеткой. Необходимые для решения адиабатические волновые функции электронов в - центре получены методами теории возмущений. Показано, что вероятность безызлучательного перехода возбужденного / - центра в основное состояние очень мала. Вместе с тем аналогичные переходы в зону проводимости играют важную роль, если возбужденное состояние отстоит от зоны проводимости не более чем на 0 1 ев. [22]
 |
Спектральное распределение коэффициента поглощения света ( а и схема, иллюстрирующая оптический переход, при котором одновременно рождаются экситон и спиновая волна ( б. [23] |
Бриллюэна: hujs j ( ha hE - Форма полосы экситон-магнонного поглощения при достаточно низких температурах должна быть асимметричной - с развитым длинноволновым крылом и резким обрывом с коротковолновой стороны. Схематически спектральное распределение в области экситон-магнонного поглощения и чисто экситонной линии показано на рис. 22.9. На этом же рисунке приведена схема экситон-магнонного перехода, иллюстрирующая соблюдение законов сохранения энергии и импульса. [24]
 |
Полоса поглощения, имеющая форму кривой Гаусса. [25] |
Важные сведения о природе поглощающих свет веществ может дать форма полос поглощения. [26]
 |
Максимумы полос поглощения и коэффициенты поглощения некоторых неорганических молекул и ионов. [27] |
Я-шах) максимумов поглощения, коэффициентам поглощения Кк и форме полос поглощения, а также другие данные, подтверждающие идентичность вещества. [28]
На рис. 103 6 приведено сопоставление некоторых аппаратных функций, а также форм полос поглощения. [29]
Чтобы выявить возможность контроля за процессом очистки а - НН а по изменению формы полосы поглощения основного вещества, приготовили раствор в этиловом спирте чистого а - НН а и растворы, содержащие 99 и 90 % а - НН а и соответственно 1 и 10 % ( 3 - НН а. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5