Cтраница 2
При увеличении возбуждения наступает критический режим, при котором в момент, когда коллекторный ток становится максимальным 1К - гумакс, точка, отображающая состояние транзистора, попадает на границу между областью насыщения и активной областью. Дальнейшее увеличение возбуждения приводит транзистор в перенапряженный режим. Форма коллекторного тока и коллекторного напряжения на этапе насыщения зависит от того, насколько контур шунтцруется сопротивлением гнае. [16]
В оконечном каскаде, работающем на линейную нагрузку - антенну, это требование определяется малым значением допустимой мощности излучения передатчика на высших гармониках. В промежуточном каскаде, работающем на нелинейное входное сопротивление последующего каскада, форма тока нагрузки определяет форму коллекторного тока последующего каскада и соответственно его энергетические характеристики, если этот каскад работает в недонапряженном или критическом режиме. [17]
![]() |
Формы переменного коллекторного напряжения и тока. [18] |
В последнее время большой интерес придают исследованию работы транзисторного генератора на комплексную нагрузку. В ( 1, 2 ] анализируется транзисторный генератор, работающий в ключевом режиме, нагрузкой которого является расстроенный колебательный контур. Такие генераторы обладают высокими энергетическими показателями. Ори этом форма коллекторного тока имеет сложную пилообразную форму. Значительное повышение энергетических показателей генератора можно получить не только в режиме насыщения, но и IB критическом и недонапряженном режимах, когда коллекторный ток имеет форму остроконечного ко-синусоидального импульса. [19]
![]() |
Пояснение процесса модуляции. а схема одного плеча модулятора. б вольтамперная характеристика и действующее напряжение. в ток в плече 1. г ток в плече 2. [20] |
Если между эмиттером и базой транзистора приложено некоторое напряжение и, то ток ia в цепи эмиттера можно определить по входной характеристике, показанной на рис. 2.266. В режиме молчания ( ма-0) напряжение ыэб есть гармоническое колебание, вызывающее в эмиттерной цепи периодические импульсы тока. В коллекторной цепи протекают аналогичные импульсы, величина которых в а раз меньше. В цепи базы текут подобные же токи, величина которых равна разности токов эмиттера и коллектора. Поскольку а близка к единице, будем считать, что токи эмиттера и коллектора равны. На рис. 2.260 ( время от 0 до ti) показана форма коллекторного тока. [21]