Форма - вольтамперная характеристика
Cтраница 2
В зависимости от полярности ионный ток направляется к одному или другому электроду двойного зонда. На второй электрод поступает равный ему по величине электронный ток, который не может превзойти 7 ( 0, так как при этом он не будет Скомпенсирован ионным током, текущим на первый электрод. Форма вольтамперной характеристики двойного зонда имеет сложный вид. [16]
Когда на туннельном контакте нет разности потенциалов, выражение (5.9) описывает ток, который определяется фазой. На практике данный ток / пропускают через контакт; при / / 0 фаза оказывается такой, что при прохождении тока не возникает разности потенциалов. При 7 / появляется разность потенциалов У, форма вольтамперной характеристики зависит от свойств слабого звена и всей цепи. Такая характеристика для напыленного контакта изображена на фиг. При увеличении тока / нет никакой разности потенциалов, пока ток / не достигнет величины / 0; типичное значение / составляет примерно 1 мА ( см. фиг. В конце концов характеристика переходит в типичную кривую туннелирования квазичастиц через контакт SS-ivma ( см. фиг. [17]
В некоторых кристаллах SiC были обнаружены р-п-переходы, характеристики которых исследовались рядом авторов. Интересной особенностью этих переходов является то, что при прохождении через них тока они излучают свет. Некоторые свойства таких р - n - переходов изучал Патрик [185], который, анализируя форму вольтамперных характеристик, получил для ширины запрещенной зоны a - SiC значение 2 83 эв. [18]
 |
Схема электриче - трического поля к катоду нагаравля-ской дуги ются положительные ионы. Поверх. [19] |
Эта кривая называется статической вольтамперной характеристикой дуги. С увеличением тока в дуге до 100 а напряжение уменьшается. Это объясняется тем, что увеличение тока вызывает резкое увеличение площади сечения столба дуги и, следовательно, его электропроводности. Такая форма вольтамперной характеристики дуги называется падающей или отрицательной. [20]
Кратко суммируем сказанное выше. Если принять, что энергетическая щель линейно уменьшается от значения для массивного образца, равного 3 5 § kTc, до нуля на поверхности образца, причем изменение происходит на отрезке, равном 21, главные особенности туннельной кривой для сэндвича Nb3Sn - окисел - In объяснены. Большая проводимость при малых напряжениях, величина максимума проводимости и температурная зависимость положения максимума получены в рамках используемой модели. Полуколичественно объяснена форма вольтамперной характеристики контакта сверхпроводник-сверхпроводник. Ни одна из этих особенностей не может быть объяснена в рамках простой теории БКШ. [21]
 |
Зависимость вида вольтамперной характеристики туннельного диода от концентрации примесей. а в электронной области. б в дырочной области. [22] |
Очевидно, необходимо изыскивать метод уменьшения емкости перехода при неизменной величине тока в максимуме. С этой точки зрения очень удобно оценивать качество туннельного диода по величине емкости, приходящейся на единицу тока в максимуме. Чем меньше будет эта величина, тем более высокочастотным должен быть диод. В определенной степени на форму вольтамперной характеристики можно влиять выбором материала и степени легирования электронной и дырочной областей. [23]
Очень часто для решения конкретной технической задачи необходимо иметь ТС с вполне определенным видом вольтамперной характеристики. Например, ее горизонтальная часть, идущая параллельно оси токов, должна находиться в заданных пределах силы тока. Промышленностью, однако, выпускается ограниченное число типов ТС. Поэтому весьма ценно, что форму вольтамперной характеристики при данных условиях теплообмена с внешней средой можно деформировать путем соединения одного ТС с другим или же соединения ТС с постоянными омическими сопротивлениями. Получающиеся при этом результаты наиболее наглядно иллюстрируются при графическом расчете схемы. [24]
Страницы: 1 2