Форма - спектральная характеристика
Cтраница 1
Форма спектральных характеристик определяет характер и величину частотных и - фазовых искажений сигналов в цепях. [1]
Другими словами, коррекция цвета счетно-решающим устройством эквивалентна изменению формы спектральных характеристик фотопреобразователей передающей камеры. При этом следует иметь в виду, что выражения ( 1 - 62) справедливы для любой цветности, лежащей в пределах заданного треугольника первичных цветов приемника. [2]
При нелинейной зависимости фототока от напряжения ( фотогальванический режим) форма спектральной характеристики изменяется, но длина волны, соответствующая максимальной чувствительности фотоэлемента, остается неизменной. [3]
Максимальной яркостью при заданной насыщенности ( п наоборот) обладают поверхности с наиболее избирательной формой спектральной характеристики отражения. Предельную избирательность имеет характеристика прямоугольной формы со стопроцентным отражением в пределах от А. [4]
Так как поглощение излучения с разными длинами волн различно, то при изменении толщины меняется и форма спектральных характеристик катодов. Увеличение толщины катода сдвигает максимум спектральной чувствительности в сторону более длинных волн. [5]
 |
Распределение энергии в спектре водородной лампы. [6] |
Описанное свойство, очевидно, является весьма полезным, поскольку позволяет в случае необходимости регулировать положение длинноволновой границы чувствительности и изменять форму спектральной характеристики фотокатода. [7]
 |
Конструктивная схема кремниевого фотоэлемента, изготовленного методом диффузии примесей. [8] |
Максимум ее лежит в области 0 5 - 0 6 мк. Форма спектральной характеристики селенового фотоэлемента близка к кривой чувствительности человеческого глаза. Это очень важное обстоятельство, так как оно позволяет использовать селеновые фотоэлементы для фотометрирования. [9]
 |
Вольт-амперная характеристика для случая, когда фотоэмиссия происходит из двух энергетических зон. [10] |
После достижения частоты ч - г ( ty-j - Qo) фотоэлектрическая чувствительность опять возрастает, так как сделаются доступными уровни заполненной зоны и на спектральной характеристике появится второй максимум. На форме спектральной характеристики, таким образом, отражается структура энергетического спектра. Переходы электронов, происходящие под действием излучения, и переходы, имеющие место в кристалле при высокой температуре, осуществляются в различных условиях. В случае термоэлектронной эмиссии статистическое равновесие в кристалле не нарушается. В случае фотоэлектрических процессов переходы с одного уровня на другой, например с примесного уровня в зону проводимости, происходят настолько быстро, что непосредственно после перехода энергия решетки полупроводника не является минимальной. Только после перехода решетка относительно медленно приходит к новому состоянию равновесия, которому соответствует минимум энергии. [11]
Спектральные характеристики фотоэлементов, выражающие зависимость спектральной чувствительности от длины волны излучения, определяются типом применяемого катода, толщиной фоточувствительного слоя катода, материалом подложки и материалом стекла баллона, через которое излучение попадает на катод. Очевидно, что для различных фотоэлементов одного типа форма спектральных характеристик может несколько отличаться в силу неизбежных технологических разбросов. Обычно для каждого типа фотоэлемента приводится усредненная спектральная характеристика. Распределение чувствительности по спектру может даваться как в абсолютных величинах, так и в относительных единицах. В первом случае по вертикальной осп откладывается чувствительность в миллиамперах на ватт мощности излучения с данной длиной волны ( ми. Второй вид изображения спектральных характеристик более распространен. [12]
 |
Вольт-амперная характеристика для случая, когда фотоэмиссия происходит из двух энергетических зон. [13] |
При достаточно большой частоте в фотоэмиссии из электронного полупроводника принимают участие как электроны с примесных уровней, так и электроны с более глубоко лежащей верхней заполненной зоны. Наличие нескольких зон, поставляющих фотоэлектроны, должно отразиться и на форме спектральной характеристики. [14]
Исследования на GaP-светодиодах показали, что при постоянной температуре уменьшение рабочего тока сильнее влияет на мощность зеленого, чем красного излучения. Это приводит к тому, что в режиме малых токов спектр излучения светодиода находится в области более длинных волн, чем при номинальных режимах. С практически не сказывается на форме спектральных характеристик. [15]
Страницы: 1 2