Форма - вольт-амперная характеристика
Cтраница 4
Другой причиной различия характеристик следует считать разные условия протекания процесса вторичной эмиссии электронов на электродах ( на горелке и на-зонде) вследствие различия их геометрической формы, материала, из которого они выполнены, и температуры процесса. Интересен другой важный для практики вывод, основанный на результатах исследований: явление вторичной эмиссии электронов с нагретого анода ( горелка или зонд-электрод) пламенно-ионизационного детектора проявляется только при напряжениях, недостаточных для достижения тока1 насыщения, и отсутствует при токе насыщения. Это позволяет выбирать конструктивные факторы и режимы работы детектора так, чтобы действие вторичной эмиссии электронов на форму вольт-амперной характеристики можно было свести к минимуму. [46]
На рис. 143 сверху изображена схема опытов Лукирского и Прилежаева, а внизу на том же рисунке показаны результаты измерения вольт-амперных характеристик для меди при трех длинах воли. Из спектрально разложенного потока излучения выделяется монохроматический пучок лучей, который направляется на внутреннюю сферу. Ток ( очень слабый) измеряется электрометром. Форму измеренных вольт-амперных характеристик истолковать нетрудно. Горизонтальный участок-это ток насыщения, текущий в ускоряющем поле. На рисунке масштаб выбран так, что ордината, изображающая ток насыщения для всех длин волн, одинакова. [47]
 |
Основные показатели стандартных термометров сопротивления. [48] |
В - коэффициенты, постоянные для данного полупроводникового материала; R0 - сопротивление термистора при температуре Т0; Т - температура тела термистора в СК. Вольт-амперная характеристика термистора нелинейна вследствие нагрева его проходящим током. Она имеет явно выраженный участок отрицательного дифференциального сопротивления. На форму вольт-амперной характеристики оказывают влияние окружающая температура и условия теплоотдачи - свойства и состояние окружающей среды. [49]
В гетеропереходах почти всегда наблюдается значительный рекомбина-ционный ток через энергетические состояния, расположенные на границе раздела двух полупроводников. Его также необходимо учитывать при интегрировании (2.1), например, путем введения эффективной скорости рекомбинации на поверхности раздела. В некоторых случаях ( при очень малой толщине обедненного слоя) часть носителей заряда принимает участие в совместном процессе туннелирования и рекомбинации, который может оказаться даже преобладающим в области границы раздела. Существование туннельного тока сказывается на форме вольт-амперной характеристики диода и, в частности, обусловливает специфические особенности поведения характеристики при вариациях температуры. [50]
Четвертую группу полупроводниковых преобразователей для измерения сил, напряжений и деформаций образуют резистивные переходные одноэлементные преобразователи. Они особенно пригодны для измерения гидростатических давлений и в настоящее время находятся в начальной стадии развития. Одним из наиболее разработанных до настоящего времени преобразователей этого типа является преобразователь, использующий свойства перехода туннельного диода, на который соос-но действует сила или давление. На рис. 4 - 9 показана зависимость формы вольт-амперной характеристики туннельного диода от внешней силы, приложенной к диоду. По мере роста силы, приложенной к переходу, уменьшается наклон участка характеристики с отрицательным сопротивлением, причем отрицательное сопротивление стремится к бесконечности. [51]
Этот вариант схемы ( рис. 15 - 8) является наиболее оригинальным и специфичным. Он элементарно прост по структуре и весьма экономичен как в отношении числа деталей, так и в отношении потребляемой мощности. Однако механизм работы такого триггера довольно сложен, так как он в значительной степени определяется формой вольт-амперных характеристик транзисторов в области малых токов. [52]
Страницы: 1 2 3 4