Формирование - импульс
Cтраница 3
Для формирования импульсов с крутым фронтом каскад на транзисторе Т8 работает в режиме ограничения. Усиленный сигнал прямоугольной формы с резистора R28 подается на базу транзистора Т10 эмиттерного повторителя. [31]
Для формирования импульсов в ИИП с накопительной длинной линией используется переходный процесс, вызванный замыканием заряженной до напряжения Е линии на резистор Яр, сопротивление которого равно волновому сопротивлению линии. [32]
До формирования импульса лампа модулятора Л заперта большим отрицательным напряжением на сетке. [33]
Для формирования импульсов широко используются амплитудные ограничители - устройства, напряжение на выходе которых ( ывых) пропорционально входному напряжению до тех пор, пока последнее не достигает некоторого уровня, называемого порогом ограничения. После этого мвых остается постоянным, несмотря на изменения входного напряжения. [34]
Для формирования импульсов микро - и миллисекундной длительности используются искусственные линии. [35]
Для формирования импульсов на ДП также служат реле или бесконтактные переключающие элементы. [36]
Для формирования импульсов с плоской вершиной в цепь сетки обязательно должен быть включен конденсатор С, так как при его отсутствии напряжение на аноде лампы во время формирования вершины импульса изменяется в значительных пределах. Подбором емкости кондесатора удается добиться такого режима, при котором уменьшение напряжения A g на сетке будет равно приращению напряжения А с на конденсаторе. [37]
Для формирования импульсов применяют также нелинейные устройства - ограничители. Ограничители позволяют получить на выходе постоянное напряжение независимо от значения входного напряжения, если последнее выше ( или ниже) заданного уровня, называемого порогом ограничения. Различают ограничение сверху ( по максимуму), снизу ( по минимуму) и двустороннее. [38]
Рассмотрим формирование импульсов симметричной мостовой С-цепью, плечи которой об разованы резисторами Ri, Rz и конденсаторами Ct. RiRzR; Ct CzC), а во внутренней диагонали моста включен диод Д ( рис. 1 - 9), ри воздействии на вход схемы положительного прямоугольного импульса. [39]
Для формирования импульсов используются пассивные ( R, L, С) и активные ( диоды, транзисторы и тиристоры) элементы. [40]
 |
Дифференцирующая цепь. [41] |
Для формирования импульсов используют устройства, с помощью которых электрические колебания различной формы преобразуются в требуемые импульсы, либо специальные импульсные генераторы: мультивибраторы и блокинг-ге-нераторы. [42]
Рассмотрим формирование импульсов сжатия в мишени при различных распределениях энергии по пространству. [43]
 |
Схема установки для испытаний изделий на воздействие одиночных ударов. [44] |
Для формирования полусинусоидального импульса длительностью 0 5 - 5 мс применяется резина средней и повышенной твердости или фетр; для больших длительностей - резины малой твердости или губчатые. Для длительностей менее 0 5 мс может оказаться целесообразным использование винипласта, фторопласта и других листовых материалов. В некоторых случаях полезно применять многослойные прокладки. [45]
Страницы: 1 2 3 4