Формирование - конденсатор
Cтраница 1
Формирование конденсаторов производится в едином технологическом цикле одновременно с изготовлением транзисторов и диффузионных резисторов, что не требует дополнительных технологических операций для их изготовления. [1]
 |
Структура fa и экви - отношения С / С необходимо по-валентная схема ( б МДП-кон - давать на л - слой сравнительно денсатора высокое положительное напряже. [2] |
Недостатки, связанные с применением таких конденсаторов, в значительной степени можно устранить, если воспользоваться другим способом формирования конденсатора, в частности МДП-конденсатора на основе слоя двуокиси кремния. Эти конденсаторы отличаются лучшими электрическими характеристиками и находят применение в широком классе перспективных полупроводниковых ИМС, в том числе в линейных полупроводниковых ИМС. Процесс изготовления интегральных МДП-кон-денсаторов не требует дополнительных технологических операций, так как получение оксида, используемого в качестве диэлектрика, можно легко совместить с одной из операций локальной диффузии. [3]
Недостатки, связанные с применением интегральных конденсаторов, изготовляемых на p - n - переходах, в значительной степени можно устранить, если воспользоваться другим способом формирования конденсатора, в частности МДП-конденсатора на основе пленки двуокиси кремния. Такие конденсаторы отличаются лучшими электрическими характеристиками и находят применение в широком классе перспективных полупроводниковых ИМС, в том числе в линейных полупроводниковых ИМС. Процесс изготовления интегральных МДП-конденсаторов не требует дополнительных технологических операций, так как получение окисла, используемого в качестве диэлектрика, можно легко совместить с одной из операций локальной диффузии. [4]
Пленки аморфного ( Sia) и гидрогенизированного ( содержащего водород) аморфного ( SiaH) кремния являются основой производства солнечных батарей и различных фотоэлектрических приборов, а пленки поликремния с полусферическими зернами ( hemispherical grains) ( SiHSG), позволяющие значительно увеличивать площадь поверхности, используются при формировании конденсаторов с высокой емкостью в ОЗУ. [5]
Для повышения точности изготовления и надежности работы формы обкладок конденсатора выбирается наиболее простой. При формировании трехслойного конденсатора его нижняя пластина 4 ( рис. 8.3) должна выступать за край верхней пластины 2 не менее чем на 0 2 мм. [7]
Последний способ формирования конденсаторов особенно часто применяется при проектировании линейных полупроводниковых ИМС. [8]
В CCL-схемах не требуются диоды сдвига уровня. Быстродействие CCL-схем примерно такое же, как у BFL-схем и потребление энергии очень маленькое, однако CCL-схемы предполагают обязательное формирование конденсаторов связи на поверхног сти кристалла, что ограничивает нижнюю пороговую частоту. [9]
Это свидетельствует о том, что заряженный положительный электрод по своему строению представляет собой конденсатор. Тот факт, что емкость этого конденсатора при переходе с первой разрядной ступени на вторую проходит через нулевое значение, говорит о том, что образование конденсатора обязательно связано с присутствием в положительном электроде двуокиси серебра. Формирование конденсатора происходит при переходе от первой зарядной ступени ко второй, что видно из осциллограмм изменения внутреннего сопротивления ( рис. 104), и связано с окислением внешней поверхности слоя окиси серебра до двуокиси. Поскольку при заряде серебряного электрода никогда не удается окислить его полностью, в глубине электрода всегда имеется металлическое серебро. Поэтому серебряный электрод в процессе заряда на второй ступени приобретает как бы слоистое строение: между слоями металлического серебра и его двуокиси находится слой низшей окиси серебра. Вполне возможно, что и внутренний слой состоит из двуокиси серебра, что подтверждается данными, получаемыми при измерениях на электродах, изготовленных только из окиси серебра. [10]
Страницы: 1