Cтраница 2
Особенности синтеза оксидов шпинельной структуры на высокодисперсных углеродных материалах исследованы. Использование дериватографического и рентге-ноструктурного методов позволило установить, что углеродный носитель ( активированный уголь, сажа, графит) принимает активное участие в процессе формирования оксидов при термическом разложении солей. В атмосфере кислорода интенсивное выгорание высокодисперсных углеродных материалов начинается вблизи 500 С. [16]
ОКА можно получить окислением кобальта, нанесенного на графит, титан, платину и другие токопроводящие материалы ( а. Поскольку электрохимическая активность СозО4 в первую очередь определяется поверхностными дефектами, создаваемыми при формировании оксида ( биографические дефекты), температуру разложения выдерживают в интервале 180 - 300 С. [17]
Влияние ионной бомбардировки на люминофор наглядно выражено в образовании темного пятна на экране часто называемого также ионным пятном. Это округлый участок в центре экрана с размытыми неровными краями, где слой люминофора обнаруживает пониженную светоотдачу. Появление пятна обязано ионной эмиссии с катода и возникает на первых стадиях обработки трубки в момент формирования оксида. В нормальной трубке в первые часы работы ионное пятно можно заметить только при пониженном напряжении, когда яркость экрана мала и пятно выступа - ti в виде более темного участка на слабо освещенном фоне. [18]