Формирование - плоская вершина - импульс
Cтраница 1
Формирование плоской вершины импульса связано с процессом заряда емкости Сс, поэтому воспользуемся выражением (6.92) для коэффициента усиления усилителя в области низких частот. [1]
Этап формирования плоской вершины импульса сменяется обратным регенеративным процессом, по завершении которого транзистор попадает в область отсечки. [2]
Далее начинается формирование плоской вершины импульса. На этом этапе происходит накопление носителей в базе, но затем, по мере уменьшения тока базы, накопление прекращается и начинается рассасывание избыточных носителей. Наконец, в момент времени tt транзистор выходит из области насыщения, восстанавливаются его усилительные свойства и начинается формирование среза импульса. К этому моменту укорачивающий конденсатор успевает зарядиться настолько, что напряжение на нем почти полностью компенсирует действие входного сигнала. При этом величина тока в основном определяется напряжением источника смещения, которое стремится запереть транзистор. Таким образом, длительность выходного импульса практически определяется продолжительностью нахождения транзистора в области насыщения. Это время рассчитывается из уравнения для заряда избыточных носителей в базе, накопленных непосредственно у коллекторного перехода. [3]
Аналогичное влияние на формирование плоской вершины импульса оказывает емкость в цепи эмиттера Сэ транзистора. [4]
В § 4.2 и 4.4, наоборот, приводятся принципиальные схемы каскадов, в которых оставлены лишь цепи, имеющие большую постоянную времени, а цепи с малой постоянной времени опущены, так как их исключение практически не отражается на формировании плоской вершины импульса. [6]
Окончание процесса формирования переднего фронта импульса связано с насыщением транзистора, когда он утрачивает усилительныэ свойства и положительная обратная связь прекращается. С этого момента начинается первый этап формирования плоской вершины импульса, при котором напряжение на коллекторе будет постоянным и близким к нулю, а ток базы будет заряжать конденсатор С, убывая по экспоненте. Когда конденсатор С полностью зарядится, то: с базы станет равным нулю и начнется второй этап формирования плоской вершины импульса, при котором напряжение на коллекторе остается равным нулю, а основным процессом в блокинг-генераторе является процесс рассасывания объемного заряда в транзисторе. [7]
Схема с искусственной линией, фиксирующей длительность импульса, приведена на рис. 6.54. Практически она отличается от основной схемы только тем, что вместо конденсатора включен отрезок длинной линии. Работа схемы аналогична рассмотренной, но к началу формирования плоской вершины импульса напряжение на вторичной ( сеточной) обмотке трансформатора прикладывается к сетке лампы и входу линии. Если волновое сопротивление линии равно сопротивлению участка сетка - катод открытой лампы, по линии будет распространяться прямая волна напряжения, равная половине индуктированного напряжения. [8]
Благодаря резкому уменьшению тока i 6 возникают благоприятные условия для рассасывания избыточного заряда в базе, после чего транзистор выходит из насыщения и усилительные свойства его восстанавливаются. На этом ( в момент ta на рис. 8.1, б) формирование плоской вершины импульса завершается. [9]
Заряд, теряемый конденсатором, может составлять значительную часть первоначального. В результате существенно уменьшается длительность паузы при малой емкости С, когда первоначальный заряд, накапливаемый конденсатором за время формирования плоской вершины импульса, невелик. Это является недостатком блокинг-генера-тора с общим эмиттером. [10]
Окончание процесса формирования переднего фронта импульса связано с насыщением транзистора, когда он утрачивает усилительныэ свойства и положительная обратная связь прекращается. С этого момента начинается первый этап формирования плоской вершины импульса, при котором напряжение на коллекторе будет постоянным и близким к нулю, а ток базы будет заряжать конденсатор С, убывая по экспоненте. Когда конденсатор С полностью зарядится, то: с базы станет равным нулю и начнется второй этап формирования плоской вершины импульса, при котором напряжение на коллекторе остается равным нулю, а основным процессом в блокинг-генераторе является процесс рассасывания объемного заряда в транзисторе. [11]
Страницы: 1