Формирование - срез - импульс
Cтраница 2
В этих выражениях рэ рэ - рк t t - рэ - На рис. 3 и 4 приведены эпюры выходных и входных токов для трех схем включения в случае, когда формирование среза импульса завершается в области отсечки. [16]
С момента попадания транзистора в активную область ( и, как следствие, возникновения в схеме обратного регенеративного процесса) и до момента, когда триод попадает в область отсечки ( при этом регенеративный процесс обрывается), происходит формирование среза импульса. Количественно этот этап будем оценивать аналогично тому, как это было сделано в отношении фронта. [17]
В начальный момент ток разряда конденсатора велик, процесс нарастает лавинообразно и приводит к быстрому запиранию лампы. Эта стадия процесса соответствует формированию среза импульса. [18]
В начальный момент ток разряда конденсатора велик, процесс нарастает лавинообразно и приводит к быстрому запиранию лампы. Эта стадия процесса соответствует формированию среза импульса. Конденсатор Сс разряжается через большое сопротивление Лс сравнительно медленно, и постепенно ток разряда уменьшается. Уменьшается и отрицательный потенциал на сетке лампы. Через некоторый промежуток времени лампа отпирается, и схема приходит в исходное состояние. Эта стадия процесса называется стадией восстановления. Далее начинается новое нарастание анодного тока и процесс повторяется. [19]
Необходимо отметить, что когда триод работает в области отсечки ( независимо от его схемы включения), изменения токов происходят с большей скоростью, чем в случае его работы в любой другой области. Более подробно особенности работы триода в области отсечки рассмотрены три непосредственном запирании, когда формирование среза импульса начинается и кончается именно в этой области. [20]
 |
Простейшая схе - [ IMAGE ] Эквивалентная схема ключа, ма транзисторного ключа с активно-емкостной нагрузкой. [21] |
Однако некоторые важные особенности работы ключа в случае, когда сопротивление нагрузки Rn шунтировано емкостью нагрузки Сн, изучены еще недостаточно. В частности, не рассмотрены условия возникновения и величина выброса тока коллектора при отпирании, условия формирования среза импульса при запирании и некоторые другие вопросы. [22]
Формирование среза импульса начинается при работе триода в инверсной активной области [5], а завершается после его перехода в область отсечки. После рассасывания избыточных носителей, накопленных у коллекторного перехода, триод переходит в область отсечки, где и завершается формирование среза импульса. [23]
Формирование среза импульса завершается при работе триода в области отсечки. В этом случае, как и в предыдущем, после рассасывания избыточных - носителей, накопленных у коллекторного перехода, триод inepe - ходит В активную область, где и начинается формирование среза импульса. Но спустя некоторое время рассасываются избыточные носителя, накопленные в базе непосредственно у эмиттерного перехода. Тогда эмиттерный переход смещается в обратном направлении, и триод переходит в область отсечки, где и завершается формирование среза импульса. [24]
Формирование среза импульса начинается и завершается при работе триода в области отсечки. Очевидно, что по мере увеличения амплитуды запирающего импульса можно достигнуть такого режима работы, когда рассасывание избыточных носителей, накопленных как у коллекторного, так и уэмиттерного переходов, произойдет одновременно. Тогда триод из области насыщения перейдет непосредственно в область отсечки, оде начинается и завершается формирование среза импульса. [25]
Наконец, возможен случай, когда формирование среза импульса начинается и полностью завершается при работе триода в инверсной области. В этом случае после стадии рассасывания триод переходит в инверсную область. При определенных условиях не исключена возможность, что триод останется в этой области и после завершения формирования среза импульса. [26]
Далее начинается формирование плоской вершины импульса. На этом этапе происходит накопление носителей в базе, но затем, по мере уменьшения тока базы, накопление прекращается и начинается рассасывание избыточных носителей. Наконец, в момент времени tt транзистор выходит из области насыщения, восстанавливаются его усилительные свойства и начинается формирование среза импульса. К этому моменту укорачивающий конденсатор успевает зарядиться настолько, что напряжение на нем почти полностью компенсирует действие входного сигнала. При этом величина тока в основном определяется напряжением источника смещения, которое стремится запереть транзистор. Таким образом, длительность выходного импульса практически определяется продолжительностью нахождения транзистора в области насыщения. Это время рассчитывается из уравнения для заряда избыточных носителей в базе, накопленных непосредственно у коллекторного перехода. [27]
В промежутках между импульсами происходит процесс релаксации - медленный разряд конденсатора С через резистор R до возникновения ( в схеме рис., а) коллекторного тока, поело чего наступает стадии генерации импульса. Развивается лавинообразный процесс, завершающийся насыщением транзистора Т - происходит формирование фронта импульса, после чего наступает стадия формирования его вершины. Конденсатор заряжается постепенно убывающим током базы вплоть до выхода Т из насыщения, что ведет к восстановлению ОС и к формированию среза импульса, завершающемуся отсечкой коллекторного тока Т и возникновением выброса обратной полярности. Вновь наступает стадия релаксации. Для увеличения стабильности в базовую цепь вводят колебат, контур или разомкнутую линию задержки. [28]
Формирование среза импульса завершается при работе триода в области отсечки. В этом случае, как и в предыдущем, после рассасывания избыточных - носителей, накопленных у коллекторного перехода, триод inepe - ходит В активную область, где и начинается формирование среза импульса. Но спустя некоторое время рассасываются избыточные носителя, накопленные в базе непосредственно у эмиттерного перехода. Тогда эмиттерный переход смещается в обратном направлении, и триод переходит в область отсечки, где и завершается формирование среза импульса. [29]
Страницы: 1 2