Формирование - передний фронт
Cтраница 1
Формирование переднего фронта на этом будет закончено. [1]
Устройство формирования переднего фронта выходного импульса выполнен на диодах Д34, Д35, включенных по параллельной схеме, обладающих эффекте; быстрого восстановления обратного сопоставления ( диоды с накоплением заряда ] При прохождении через диоды Д34, Д35 токов в прямом направлении в р-л-пере ходе происходит накопление заряда. В схеме с параллельным включением диод, ( с быстрым восстановлением обратного сопротивления) переключение диод с прямого, пропускного направления, на обратное, запорное направление, осущест вляется напряжением, подаваемым с оконечного каскада УБВ ( амплитуда 25В в течение времени 3 не. [2]
Строго говоря, процесс формирования переднего фронта будет нелинейным. [3]
Нужно заметить, что применение запирающих напряжений большой величины ухудшает процесс формирования переднего фронта. Поэтому обычно выбирают t / 62 ( 0 15 - 0 2) Ек, При применении дрейфовых транзисторов напряжение t / 62 лимитируется пробоем эмиттерного перехода. [4]
 |
Схема измерения времени восстановления обратного сопротивления. [5] |
Импульс отрицательной полярности с выхода генератора импульса ГИ по коаксиальному кабелю подается на схему формирования переднего фронта. Крутизна переднего фронта импульса уменьшается за счет скорости спада обратного тока формирующего диода с накоплением заряда ФД. Для отсечки медленной части сформированного фронта импульса, соответствующей фазе t диода ФД, включается последовательный ограничитель, образованный быстродействующим диодом ОД и резистором RZ с сопротивлением порядка 1 ком. Диод ОД в открытом состоянии при токах 20 - 50 ма должен иметь прямое падение напряжения, большее, чем прямое падение на диоде ФД в принятом режиме формирования. [6]
Важной особенностью при определении области применения является то, что ограничители с последовательно включенным диодом имеют малое выходное сопротивление во время формирования переднего фронта и вершины импульса и большое выходное сопротивление во время формирования заднего фронта и подошвы импульса. Поэтому ограничители такого типа наиболее целесообразно применять там, где предъявляются сравнительно высокие требования к параметрам переднего фронта и вершины импульса. [7]
Однако поступать таким образом нецелесообразно, так как при экспериментальной проверке теоретических результатов все равно не удается сколько-нибудь точно определить момент начала формирования переднего фронта, а следовательно, и определить реальные начальные условия. [8]
Формулы выведены в предположении L ac - L - индуктивности коллекторной обмотки трансформатора; величины ( о и 8 даются формулой ( 3 - 34), полученной при анализе формирования переднего фронта. [9]
Длительность спада Гф отсчитывается от момента времени, соответствующего окончанию процесса рассасывания Tvacc. Кроме того, как и при формировании переднего фронта, здесь принимаем, что емкость коллекторного перехода не изменяет постоянную времени спада коллекторного тока. [10]
Сравнивая ( 3 - 71) и ( 3 - 72) с соотношениями, полученными при выводе ( 3 - 32), легко убедиться в том, что рассматриваемый. Скорость его зависит от параметров схемы и триода, так же как и скорость формирования переднего фронта. [11]
Рассмотрим переходные процессы, связанные с насыщением транзистора. Если величина входного сигнала достаточна, чтобы перевести транзистор в режим насыщения, то после окончания формирования переднего фронта тока коллектора заряд дырок в базе продолжает возрастать. [12]
П-1 и П-6) с частотами fa иже 1 Мгц скорость формирования фронтов определяется глазным образом диффузионным процессом в базе, а учет влияния емкостей р-п-переходов дает поправку порядка 20 % в самых неблагоприятных случаях. Работа с триодами p - n - i - p, у которых / в были в пределах 3 - 20 Мгц показала, что скорость формирования переднего фронта слабо зависит от величины / а и определяется в основном емкостями p - n - переходов, которые и следует учитывать при расчетах, а влиянием процесса в базе можно пренебречь. При расчетах схем с триодами, у которых / а лежит в промежутке 1 - 3 Мгц, необходимо учитывать как роль процесса в базе, так и роль емкостей р-я-переходов. [13]
При необходимости точно так же можно учесть паразитные емкости схемы, а также статическую емкость эмиттерного перехода. Учитывать последнюю оказывается совершенно необходимо в самом начале формирования переднего фронта, когда гвх, как указывается в гл. [14]
Страницы: 1