Формирование - элемент
Cтраница 2
 |
Схемы формирования элементов шиповых соединений. [16] |
На рис. 84 приведены схемы формирования элементов шиповых соединений. [17]
В программах 4.2 реализован способ формирования элементов матрицы Грама без использования операции возведения в степень. [18]
После выполнения всех операцик по формированию элементов и соединений кремниевую пластину помещают в герметичный защитный корпус, имеющий выводы от определенных точек схемы. Он используется как двухкаскадный усилитель. Оба каскада усилителя на транзисторах VT1 и VT2 типа п-р - п выполнены по схеме с общим эмиттером. Резистор RI является нагрузкой первого транзистора, резистор RS - нагрузкой второго транзистора. [19]
При рядном размещении скважин по площади формирование элементов описанным способом создает волну давления в ряду нагнетательных скважин длиной в 5 - 10 скважин. [20]
Выходной графический примитив, предназначенный для формирования элемента изображения в виде замкнутого многоугольника, ограничивающего заполненную некоторым образом область. [21]
 |
Классификация методов формирования конфигурации символа и печатной строки ( пунктирными линиями обозначены малоперспективные методы. [22] |
Знакосинтезирующие методы в зависимости от последовательности формирования элементов, составляющих контур знака, подразделяются на полносимвольные, фрагментные, поэлементные или точечные. [23]
 |
KMOn / SIMOX-метод. 1 - [ IMAGE ] KMOn / FIPOS-метод. 1. [24] |
В этих конструкциях непосредственно под областью формирования элемента создается скрытый слой окисла кремния В SIMOX-методе проводится глубокая имплантация ионов 0 с энергией 150 кэВ ( Rp 0 38 мкм), не нарушающая кристалличности в приповерхностном слое подложки, в результате чего на глубине 0 21 мкм создается скрытый окисный слой. [25]
Блок выбора формы отображения осуществляет управление формированием элементов изображения в соответствии с выходной информацией, поступающей из блока управления или через память УВВИ. [26]
Обучающие задачи прежде всего связаны с формированием элементов теоретических знаний и связанных с ними умений. [27]
Изменение экономической системы первоначально выразилось в формировании элементов рыночного ценообразования и в уходе государства из собственности в ведущих нефтяных компаниях с прекращением централизованного выделения инвестиционных ресурсов. [28]
Вторая группа факторов оказывает непосредственное воздействие на формирование материально-вещественных элементов труда, предметы и орудия труда, технологические процессы, организационные формы производства, применяемые режимы труда и отдыха. [29]
Весьма перспективно использование в качестве среды для формирования элементов интегральной схемы тонких ( микронных и субмикронных) эпитаксиальных слоев, наращиваемых на сильно легированные подложки. При оптимизации условий эпитаксиального наращивания такие слои обладают очень высоким структурным совершенством. Сильно же легированная подложка выполняет в данном случае роль эффективно геттерирующей среды. [30]
Страницы: 1 2 3 4