Импеданс

Cтраница 4

Импеданс объема V, за которым стоит импеданс Za, включенный на площади а, можно вывести из формулы для входного импеданса трубы сечения S ( гл. [46]

Импеданс поршневой диафрагмы без экрана, излучающей одной стороной, вычисляется следующим образом. [47]

Импеданс путей утечки для синфазного сигнала зависит как от пассивных элементов, так и от характеристик транзистора. Импеданс пути, проходящего через переход база - коллектор, зависит от номиналов коллекторных резисторов и выходного импеданса ( 1: hob) транзистора. Для источников синфазного сигнала постоянного тока активная составляющая импеданса 1 hob на несколько порядков больше величины коллекторных резисторов, а потому игряет первостепенную роль. Если источником синфазного сигнала служит переменный ток, то важным параметром транзистора оказывается СоЬ - емкость перехода база - коллектор. Поскольку сопротивление СоЬ на частотах, интересующих нас сточки зрения прохождения синфазного сигнала, может быть сравнительно малым, то коллекторные резисторы имеют решающее значение в создании импеданса пути, по которому идет синфазный сигнал. [48]

Схема шумового термометра на основе измерения мощности источника шума. А - чувствительный предусили-тель напряжения. В - предусилитель тока высокой чувствительности. С - дополнительный усилитель и фильтр. D - квадратичный детектор. Е - интегратор. F и G - запоминающие устройства для шумового напряжения и шумового тока соответственно. Н - умножитель. [49]

Импеданс подводящих проводов, шунтирующий источник шума, должен быть также сведен к минимуму. Как и в других методах шумовой термометрии, остается требование высокой стабильности усилителей и отсутствия шумов нетепловой природы. Выполнить последнее условие на практике значительно сложнее, чем остальные. [50]

Упрощенная цепь для диффузионного импеданса в случае, когда реакции переноса заряда предшествует сопряженная с ней химическая реакция. [51]

Импеданс двухэлектродной ячейки измеряется с помощью обычного моста переменного тока. [52]

Базовый логический элемент серии 130. [53]

Импеданс корректирующей цепи меньше зависит от температуры, чем импеданс диффузионного сопротивления, что позволяет получить его более низкое значение для тока рассасывания при наивысших рабочих температурах. Высокое значение импеданса при низких рабочих температурах не уменьшает ток включения транзистора Ть, что обеспечивает достаточно малое время включения элементов при пониженных температурах. [54]

Схема генератора с двумя обмотками возбуждения. [55]

Любые параллельные импедансы можно привести к эквивалентным последовательным импедансам с помощью теоремы Тевенина. [56]

Зависимости выходных характеристик батареи солнечных элементов спутника от времени работы в естественном и искусственном ( после июля 1962 г. радиационных поясах. 1. р-п ( к. п. д. 9 6 % с 30-мм защитным стеклом. 2. р-п ( к. п. д. 9 6 % с 60-мм защитным стеклом. 3. п-р ( к. п. д. 9 % с 30-мм защитным стеклом. 4. п-р ( к. п. д. 9 % с ЪО-мм защитным стеклом. [57]

Импеданс положительной клеммы уменьшается прикреплением к одной из кромок очень тонкой полоски луженого никеля. [58]

Импеданс вспомогательного электрода может быть элиминиро -, ван до очень малых величин путем максимально возможного увели -: чения размера этого электрода. Сопротивление же электролита измеряется J при достаточно высоких частотах, когда эквивалентная схема может быть представлена в виде последовательно соединенных емкостей плотной части двойного электрического слоя и сопротивления электролита. Таким образом, переменноточный метод является единственным из релаксационных методов, позволяющим экспериментально изучать сложные электрохимические системы. Этому способствует хорошо разработанная теория цепей переменного тока. [59]

Импеданс окисносеребряных элементов, предназначении; для использования в слуховых аппаратах, имеет низкое достаточно постоянное значение и заметно увеличиваете. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5