Формула - шоттка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Покажите мне человека, у которого нет никаких проблем, и я найду у него шрам от черепно-мозговой травмы. Законы Мерфи (еще...)

Формула - шоттка

Cтраница 1


Формула Шоттки дает возможность получить расчетным путем достаточно высокие значения тока эмиссии. Тем не менее эти значения примерно на два порядка меньше наблюдаемых на опыте токов в соответствующих условиях.  [1]

Соотношение (68.8) называется формулой Шоттки. Заметим, что если в спектральный интервал частот v включить их отрицательные значения, то множитель 2 в формуле (68.8) пропадает. Так обычно поступают при использовании экспоненциальной формы рядов или интегралов Фурье.  [2]

Эта формула носит название формулы Шоттки; ею пользуются обычно при расчете дробовых шумов низкочастотных электронных ламп.  [3]

Формула (10.17) получена впервые Шоттки и называется формулой Шоттки. Эмиссия электронов под действием электрического поля называется холодной эмиссией или эмиссией Шоттки. Принципиальное отличие шоттковского тока от туннельного состоит в том, что он возникает в результате прохождения электронов над барьером, а не просачивания их сквозь барьер, как в случае туннельной эмиссии.  [4]

5 Шумовая эквивалентная схема лампового каскада ОК. [5]

Промежуток сетка - катод лампы эквивалентен насыщенному диоду, для которото применима формула Шоттки.  [6]

7 Потенциальный барьер на ности металла. Поэтому амплитуда прошедшей через потенциальный барьер электронной волны зависит от напряженности внешнего поля. Квадрат амплитуды электронной волны обусловливает собой в каждой точке вероятность нахождения здесь электрона. Поэтому вероятность прохождения электронов сквозь потенциальный барьер, а следовательно, и плотность тока автоэлектронной эмиссии зависят от напряженности внешнего поля. Расчеты, произведенные на основе волновой механики, приводят в этом случае к соотношению. [7]

Формула ( 63) учитывает прохождение электронов сквозь потенциальный барьер, тогда как формула Шоттки ( 61) учитывает лишь понижение потенциального барьера.  [8]

В дрейфовых транзисторах степень легирования базовой области значительно выше, чем в бездрейфовых, что является благоприятным фактором для применения формулы Шоттки - Мотта.  [9]

В случае же, когда X ( t) - это пульсации силы тока, создаваемые дробовым эффектом в электронной лампе, при широких условиях имеет место так называемая формула Шоттки, согласно которой / 0 8 / 0 / 2я, где 8 - заряд электрона, / 0 - среднее значение тока через лампу.  [10]

11 Основные характеристики высокотемпературных генераторов шума. [11]

В диапазоне высоких частот в качестве генератора шумовых сигналов используется шумовой диод 2Д2С, работающий в режиме насыщения. Источником шумового излучения в диоде является дробовой шум. Действующее значение тока диода в режиме насыщения определяется формулой Шоттки.  [12]

При малом Т этот ток очень мал. С другой стороны, внешнее поле, уменьшая работу выхода, увеличивает эмиссионный ток. Спрашивается, нельзя ли настолько увеличить внешнее поле, чтобы эмиссионный ток достиг заметной величины при температуре металла порядка комнатной. Опыт показывает, что подобное явление, называемое автоэлектронной эмиссией, а также холодной эмиссией, действительно имеет место. Если в вакууме поместить на очень близком расстоянии два металлических электрода и постепенно увеличивать - наложенную между ними разность потенциалов, то вакуум, как бы высок он ни был, пробивается. Однако, как показали исследования Милликена и Эйрика [189], формула Шоттки к этому случаю не приложима, и автоэлектронная эмиссия наблюдается при на-пряженностях поля, в 100 раз меньших, чем это вытекает из формулы.  [13]



Страницы:      1