Приведенная формула - даюта
Cтраница 3
Максимальная погрешность собственного значения AI при г у 1 - ( b / a) 2 0 9 составляет 1 %, а погрешности А. В предельном случае е 0, который соответствует круговой области, приведенные формулы дают точный результат. [31]
В табл. 2 и 3 расчеты по приведенным приближенным формулам сопоставлены с более точными решениями в степенных рядах. Как видно из табл. 3, для довольно широкого интервала изменения параметров сильфонов приведенные формулы дают приемлемое для практического использования приближение. [32]
Мы видим, что рассмотренные силы могут быть разложены в ряды по возрастающим степеням г. В общем, можно сказать, что чем больше степень г, тем меньшей оказывается реальная величина силы. Все выражения для потенциала теряют силу, когда расстояние г становится того же порядка, что и расстояние, разделяющее заряды в данном диполе. Однако в большинстве случаев расстояние между зарядами оказывается малым по сравнению с расстояниями между атомами, и поэтому приведенные формулы дают достаточную степень приближения. [33]
Последняя формула показывает в явном виде, от каких первоначальных переменных и как именно зависит коэффициент теплоотдачи. В такой же мере а зависит от плотности. Поэтому если имеется в виду газ, то увеличение его давления равноценно увеличению скорости. Имеются указания на то, что при числах Re, превышающих несколько сотен тысяч, приведенные формулы дают а с некоторым преуменьшением. [34]
Измерения показывают, что для петли г - 850 А, а для включения R 280 А. Приняв для частиц SiO2 AF / F 0 1, согласно [604], вычисления по вышеприведенной формуле дают значение г 865 А, что очень хорошо совпадает с измеренным на рис. 128 значением г 850 А. Небольшое расхождение объясняется неточностью измерений. Тогда вычисления по приведенной формуле дают значение г 1920 А, что более чем в два раза превышает измеренное на рис. 128 значение. [36]
Страницы: 1 2 3