Cтраница 1
Формы импульсов тока при опытах не соответствуют импульсам тока при коммутации. [1]
Формы импульсов тока Ilt / 2 и / 3 иллюстрируют, как этот постоянный ток нагрузки протекает по каждому из трех возможных путей. [2]
На рис. 6.5.17 приведены формы импульсов тока, характерные для низких температур и ненаблюдаемые при высоких температурах. Вид этих импульсов трудно объяснить с помощью теории Шера - Монтролла; гораздо легче это сделать, предполагая многократный захват носителей ловушками. Последний процесс сильно зависит от температуры, и, как указал Маршалл [102], при повышенных температурах время освобождения носителей из ловушек становится достаточно малым, и можно ожидать, что дисперсия времен пролета будет иметь гауссову природу. Хотя Нуланди [110] и показал, что теории Шера - Монтролла и многократного захвата математически эквивалентны, однозначной экспериментальной демонстрации процесса многократного захвата пока нет. [3]
С помощью каких приборов производится контроль длительности и формы импульса тока магнетрона. [4]
Важнейшими требованиями, которым должны отвечать последних два элемента системы электропитания, являются: возможность получения требуемой величины и формы импульсов тока, стабильность этих импульсов при неизменной настройке машины в процессе длительной эксплуатации машины, и слабое влияние на них неизбежных колебаний начальных сопротивлений холодных контактов однотипных деталей. [5]
Форму кривой импульса напряжения в выходной обмотке можно определить графо-аналитическим способом, аналогичным рассмотренному в § 8.5, если известны формы координатных импульсов тока. [6]
Форма кривой импульса напряжения в выходной обмотке может быть определена графоаналитическим способом, аналогичным рассмотренному в § 8.6, если известны формы координатных импульсов тока. [7]
При работе транзистора в режиме ненасыщенного переключателя применяются в качестве импульсных параметров времена: 1ф - время фронта и te - время спада импульса выходного тока; при использовании режима насыщения к этим параметрам добавляется время / р рассасывания неосновных носителей, накопленных в базе. На рис. 13 показаны формы импульсов токов в базе и в коллекторе и способы отсчета времен. [8]
Если движение носителей заряда ограничивается пространственным зарядом, то наблюдается затянутый хвост даже в отсутствие состояний захвата. Время переноса, определяемое из формы импульса тока, меньше истинного времени переноса Тп в однородном электрическом поле Ev / d на 20 %, так как суммарное поле увеличивается за счет пространственного заряда. Если в кристалле присутствуют уровни прилипания, то разница становится еще меньше. [9]
Нагрузка импульсного характера резко меняется по своей величине с течением времени. Характер ее изменения зависит от формы импульса тока, протекающего через нагрузку. [10]
Если в транзисторе протекает импульсный ток, то тепловое сопротивление будет зависеть от времени. В этом случае оно называется переходным и зависит от формы импульсов тока и момента времени, в который оно определяется. [11]
Сопротивления переменному току, или, как их иногда называют, дифференциальные сопротивления, правильно отражают физические процессы в том случае, если амплитуда переменного напряжения мала или если к диоду приложено пульсирующее напряжение, в котором переменная составляющая мала по сравнению с постоянной составляющей. Что касается выпрямителей переменного тока, у которых амплитуда приложенного к вентилю напряжения велика и меняется со временем, поскольку ток через вентиль протекает в некоторой части периода выпрямляемого тока, то применительно к ним ни одного из указанных сопротивлений, строго говоря, нельзя принимать в расчет. Для подобных случаев, как это показал ряд авторов, должно быть выбрано эквивалентное сопротивление потерь Кэка в вентиле, которое будет зависеть от формы импульса тока через вентиль и режима работы вентиля. [12]