Ионная имплантация
Cтраница 2
Метод ионной имплантации ( ионного легирования) заключается во введении легирующих элементов в поверхностные слои металлов путем использования ионных пучков. Легированный слой формируется при бомбардировке поверхности металлов ионами легирующих элементов, приобретающих высокие скорости в электрическом поле. Толщина этого слоя зависит в основном от природы и энергии ионов, а также от природы металла, на который наносится слой. [16]
При ионной имплантации В, Р, As примеси ионизируются, ускоряются высоким напряжением ( от нескольких киловольт до нескольких сотен киловольт) и внедряются в кремниевую подложку. На рис. 4.49 представлена схема установки ионной имплантации. [18]
Техника ионной имплантации позволяет вводить в матрицу контролируемую концентрацию вещества. [19]
Процесс ионной имплантации не требует высокотемпературного, строго контролируемого нагрева подложки, профиль концентрации, получаемый при ионном легировании, имеет максимум на некоторой глубине, которую можно регулировать, изменяя энергию бомбардирующих ионов. Ионная имплантация характеризуется высокой воспроизводимостью результатов. Недостатком метода является довольно большая сложность технологического оборудования. [20]
Преимущества ионной имплантации наиболее полно раскрываются при обработке ответственных деталей, например ряда деталей газотурбинных двигателей, работающих в условиях высоких температур, давлений и агрессивных сред. [21]
 |
Модификация доменной структуры ионной имплантацией. [22] |
Использование ионной имплантации позволяет улучшить ряд динамических свойств ЦМД, в частности увеличить их скорость примерно в 1 4 раза, подвижность - в 1 8 раза. [23]
Технология ионной имплантации при изготовлении:; элементов ИМС имеет большие возможности. Ее основными преимуществами являются следующие. [24]
Методами ионной имплантации и перемешивания ионным пучком также может производиться и химическая модификация поверхности за счет внедрения в тонкий поверхностный слой подложки желаемых элементарных частиц. [25]
После ионной имплантации примесей п - и р-типа в грани элементов и термообработки осаждают металлические контакты, обеспечивающие последовательное соединение микроэлементов. Кроме того, металлический слой служит отражающим покрытием, увеличивающим долю активно поглощаемого света. Для обеспечения механической прочности структура закрепляется на стекле и освещение производится со стороны стеклянной подложки. [26]
Осуществляя ионную имплантацию так, чтобы на поверхности ЦМД-пленкл остались неимилантирован-ныс участки, напр. D форме перекрывающихся дисков, получают ДПС, в к-рой ЦМД локализуется на границе имплантированной и неимплантированной областей и передвигается вдоль этой границы под действием вращающегося плоскостного магн. [27]
Широкое применение ионная имплантация получила при создании вакуумных узлов трения, используемых в космических аппаратах. Речь может идти о синтезе включений твердых смазок в поверхностном слое, пассивации и предотвращении схватывания контактирующих поверхностей, подвергаемых действию ионизирующих излучений; увеличении поверхностной твердости оптики с целью повышения эрозионной стойкости к воздействию микрометеоритных потоков. [28]
Например, ионная имплантация азота на поверхности стали в 30 раз повышает стойкость слоя к истиранию. [29]
Основными преимуществами ионной имплантации, если сравнивать ее с другими методами, основанными на легировании поверхности [80], являются: возможность получения практически любой комбинации матрица-легирующий компонент, в том числе сплавов элементов, несмешиваемых в твердом и жидком состоянии и весьма далеких от термодинамического равновесия; отсутствие проблемы адгезии, характерной при нанесении покрытий: практически неизменность размеров обрабатываемой поверхности; исключительная чистота процесса; введение строго контролируемого количества легирующей примеси; возможность осуществления процесса при любых, в том числе комнатных и отрицательных, температурах. К недостаткам следует отнести такие: глубина проникновения имплантируемых ионов не превышает, как правило, десятые доли микрометра; максимально достижимая концентрация легирующей примеси ограничена распылением поверхности ( не более 10 - 20 %); затруднительность обработки затененных участков поверхности; относительная сложность и высокая стоимость оборудования. [30]
Страницы: 1 2 3 4