Связанные волны

Cтраница 1

Вырожденные связанные волны, так же как и вырожденные связанные парциальные колебания, сильно взаимодействуют друг с другом именно вследствие синхронизма. Связанность при этом велика, формально она равна бесконечности. [1]

Связанные волны напряжений и токов в СПЛ рассчитываются следующим образом. [2]

Перестраиваемый ответвитель. [3]

Еще раз подчеркнем, что hi и hz характеризуют связанные волны и отличаются от постоянных распространения несвязанных волн на величины порядка с. [4]

Перестраиваемый ответвитель. [5]

Нетрудно видеть, что оба способа рассмотрения, использующие как связанные волны, так и пространственные биения нормальных волн, одинаково хорошо описывают данный процесс. [6]

Полученные формулы можно объяснить следующим об - pasoivf: регулярное возмущение ] волне вода превращает нормальные волны e - lhz идеального тракта в связанные. В возмущенном волноводе, в свою очередь, есть нормальные вол-ные - тг, на которые и распадается каждая связанная волна. Волны е - тг не искажаются при передаче по волноводу, в котором распространяются связанные волны e - iftz. Другими словами, в волноводе с регулярной, не зависящей от координаты г, связью существуют собственные нормальные волны, причем любая связанная волна, амплитуда которой сложным образом зависит от z, может быть представлена в виде суммы нормальных волн. Приведенные выводы справедливы для систем с любым количеством волн при регулярной связи. [7]

Эффект связи воли в нелинейной среде обычно именуется в научной литературе как параметрический эффем в оптике. Такое наименование возникло исторически, по аналогии с ранее известным эффектом возбуждения параметрических колебаний в радиоэлектронике [1, 2], в основе которого лежит модуляция параметров колебательного контура. Хотя представляется, что термин связанные волны лучше отражает суть дела, ко будут использоваться и термин параметрический аффект, и раз. [8]

Переходы между дискретными уровнями примесей в полупроводниках также могут давать вклад в поглощение фотонов в инфракрасной области. Хотя эти примесные процессы поглощения много слабее процессов, связанных с межзонными переходами электронов, они могут приводить к возникновению очень узких пиков и оказались чрезвычайно чувствительным и полезным методом для зондирования энергетических уровней примесей. Наконец, в полярных полупроводниках с кристаллической структурой цинковой обманки фотоны могут поглощаться и отражаться в результате взаимодействия с оптическими фононами. Коэффициент отражения становится особенно высоким для фотонов с частотами между частотами ТО и LO фононов, приводя к давно известному явлению, называемому отражением на остаточных лучах. Взаимодействие между инфракрасно-активными фононами и электромагнитными волнами может быть настолько сильным, что внутри среды они неразделимы. Вместо этого их следует рассматривать, как связанные волны, или квазичастицы, называемые фононными поляритонами. [9]

Страницы: 1