Импульс - обратное напряжение
Cтраница 2
Для определения времени выключения через ИВ пропускается прямой ток, а затем прикладывается импульс обратного напряжения. С этого момента начинается процесс восстановления запирающих свойств тиристора. [16]
Основным параметром, характеризующим свойства импульсного диода, является время восстановления обратного сопротивления диода / Вос, представляющее собой интервал времени от момента подачи импульса обратного напряжения до момента, когда обратный ток диода уменьшается до заданного значения. [17]
Не рекомендуется осуществлять выпрямительные приборы с коммутируемым микроамперметром, так как при этом легко может создаться режим, - при котором диоды будут пробиты импульсом обратного напряжения, не следует применять выпрямительные приборы при испытаниях сетевых трансформаторов по току хх, так как возникающие при этом значительные гармоники могут существенно исказить результат измерений. [18]
У точечного диода / обр измеряют, прикладывая к нему определенное постоянное напряжение, а у плоскостного диода / обр измеряют, прикладывая к нему импульсы обратного напряжения с амплитудой, равной предельной амплитуде обратного напряжения. [19]
Измерение накопленного заряда производится стандартным методом, заключающимся в измерении заряда, протекающего через внешнюю цепь, при воздействии на диод, находящийся в режиме прямого смещения, импульса обратного напряжения с большой амплитудой. [20]
 |
Защиты вентилей преобразователя от внешних перенапряжений. а - неуправляемого. б - полностью управляемого. [21] |
Импульсы обратного напряжения, превышающие периодически прикладываемые допустимые обратные напряжения, могут разрушить вентиль, поэтому необходимо принимать специальные меры для защиты силовых вентилей от перенапряжений. Причинами перенапряжений могут быть отключение или включение силового трансформатора на холостом ходу, отключение в цепи постоянного тока, перегорание плавких вставок, а также перенапряжения, вызываемые коммутацией тока с одного вентиля на другой. [22]
 |
Процессы установления обратного тока. [23] |
При изменении полярности напряжения на диоде с прямой на обратную в первый момент возникает аномально большой обратный ток ( рис. 2 - 11, а) и лишь спустя время вооот, по порядку величины равное времени жизни носителей, его значение снижается до нормального, соответствующего приложенному обратному напряжению. Если длительность импульса обратного напряжения будет значительно меньше вооот, то диод не будет выполнять функции вентиля. [24]
 |
Принципиальная схема элемента времени импульсного. [25] |
При возникновении на обмотке w импульсов положительной полярности с крутым фронтом на обмотку 2 второго сердечника начинают поступать калиброванные импульсы. Так как величина импульса обратного напряжения мала, то для ее увеличения в схему включен триод Т, работающий в ключевом режиме. Когда на обмотку w подан очередной импульс, на базу триода с обмотки w4 подается отрицательное напряжение и триод открывается. Однако это увеличение не приводит при отсутствии насыщения сердечника 2 к срабатыванию элемента времени, так как импульс обратного напряжения будет мал. До того, как на обмотку w поступит следующий импульс, сердечник 1 должен быть перемагничен в обратном направлении. [26]
Производится проверка условий работоспособности диодов и транзисторов ИФТ, связанных с допустимыми значениями тока и напряжения в наихудших условиях. При этом необходимо учитывать, что величина импульса обратного напряжения, прикладываемого к диоду и транзистору, сильно зависит от времени пере-магничивания сердечников т, которое в свою очередь зависит от температуры из-за температурного изменения динамических параметров сердечников. [27]
Как уже отмечалось, в момент подачи импульса обратного напряжения концентрация дырок на границе запорного слоя становится равной нулю. В глубине базы концентрация остается повышенной. Поэтому вблизи запорного слоя создается градиент концентрации дырок ( рис. 4.41), определяющий обратный ток через переход. С течением времени уменьшается концентрация дырок, уменьшается градиент концентрации, а поэтому и ток через диод. Уменьшение концентрации дырок в n - области связано с уходом их в р-область и рекомбинацией. Дело в том, что в момент подачи обратного напряжения концентрация дырок на самой границе запорного слоя мгновенно становится равной нулю. В любом другом сечении базы в первое мгновение концентрация дырок остается неизменной, поэтому градиент концентрации дырок и дырочный ток через переход бесконечно велики. Реально электрическая цепь всегда имеет конечное активное сопротивление, которое ограничивает величины выброса обратного тока. Кроме того, длительность фронта обратного импульса напряжения также конечна. Поэтому концентрация дырок у запорного слоя приходит к нулю за конечное время. [28]
Остальные элементы измерительного органа имеют следующее назначение. Диоды Д / и Д2 защищают транзистор 77 от импульсов обратного напряжения в моменты коммутации. [29]
Резистор R23 ограничивает всплески напряжения самоиндукции на выходных транзисторах VT7 и VT8 ( диагр. Резистор R24 ограничивает ток через эти транзисторы и первичную обмотку катушки зажигания, а диод VD7 блокирует импульсы обратного напряжения на транзисторах в переходном процессе. [30]
Страницы: 1 2 3