Фосфид - индий
Cтраница 3
 |
Положение донорной и акцепторной примесей в кристаллической решетке антимонида индия. а-донорная примесь теллура. б - акцепторная примесь цинка. [31] |
Арсениды, антимониды и фосфиды индия и галлия получают сплавлением компонентов в вакууме кварцевых труб. [32]
 |
Марки и основные характеристики монокристаллов GaAs. [33] |
Обозначение марок: ФИ - фосфид индия, Э - электронный, Д - дырочный, Т - теллур, Ц - цинк ( легирующие примеси), П - полуизолирующий. [34]
Выше 600 С наблюдается заметное окисление фосфида индия на воздухе. [35]
Новые виды структур антимонида индия, фосфида индия с диэлектрическим покрытием на основе окиси кремния, нитрида германия либо собственного окисла необходимы для создания приборов с зарядовой связью, функцией которых являются преобразование и статическая обработка видоизображений в инфракрасной и видимой областях спектра. Основной проблемой в технологии создания этих структур является обеспечение высокого качества поверхности раздела полупроводник - диэлектрик. Любые нарушения этой границы создают неконтролируемые энергетические уровни поверхностных состояний. [36]
 |
Диаграмма плавксктн системы In - Р ( Вап-ден - Боомгаард и Шол. [37] |
По данным Ричмана, давление диссоциации фосфида индия в точке плавления составляет 21 атм [ см. сб. [38]
Поэтому количество растворителя, необходимого для синтеза фосфида индия, может быть произвольным, а для фосфида галлия количество висмута должно соответствовать области гомогенного жидкого раствора галлия в висмуте. Количество фосфора определяется по стехиометрии получаемых соединений. [39]
Для определения указанных примесей в 10 образцах фосфида индия требуется 14 час. [40]
Оказывается, что границы энергетических зон в фосфиде индия аналогичны границам в арсениде индия: минимум зоны проводимости лежит в центре зоны, а максимумы валентной зоны расположены очень близко к этой точке. [41]
Предложенный нами химико-спектральный метод определения примесей в фосфиде индия основан на концентрировании их с частично выделенным сульфидом индия с последующим спектральным анализом концентрата. [42]
Несколько большие частоты получены на генераторах Ганна из фосфида индия в связи с большими значениями максимальных скоростей электронов, но качество приборов из этого материала значительно ниже из-за недостаточной отработки технологии изготовления материала. [43]
Несколько большие частоты получены на генераторах Ганна из фосфида индия в связи с большими значениями максимальных скоростей электронов, но качество приборов из этого материала значительно ниже и. [44]
Такие источники света изготовляются из арсенида галлия и фосфида индия. В фосфиде галлия или карбиде кремния основную роль играют оптические переходы между примесными уровнями. [45]
Страницы: 1 2 3 4