Cтраница 5
Одним из существенных достоинств ЗУ на магнитных накопителях является их энергонезависимость. Информация на ЗУ с такими накопителями сохраняется при отключенных источниках питания. В процессе разработки энергонезависимых ЗУ на МДП транзисторах хорошие результаты были получены при использовании двухслойных диэлектриков. Слой окиси кремния толщиной 1 - 2 нм выращивается на поверхности кремниевой подложки. Второй диэлектрический слой, выполненный из нитрида кремния, имеет толщину 30 - 60 нм. В ловушках, образующихся на границах раздела этих двух слоев, накапливается заряд, полярность которого влияет на пороговое напряжение транзистора. Изменение полярности заряда происходит в момент записи. Импульс записи амплитудой 35 В вызывает туннелирование зарядов через тонкий слой окисла кремния в подложку. Импульс обратной полярности возвращает систему в исходное состояние. Считывание информации производится импульсами амплитудой - 6 В. Время энергонезависимого хранения информации в МНОП ЗУ уже достигает около года. Быстродействие ЗУ в режиме считывания составляет 500 не. [61]