Фотодиод - тип
Cтраница 1
 |
Энергетическая диаграмма фотодиода с встроенным электрическим полем. [1] |
Фотодиод типа p - i - n может быть как германиевым, так и кремниевым. Отличие его заключается в том, что р - и n - области полупроводника разделены слоем i - собственного полупроводника. [2]
Ток через фотодиод типа ФД-1, освещенный потоком Ф0 01 лм, при увеличении температуры всего на 40 К ( рис. В-5) возрастает почти вдвое, хотя уровень засветки остается неизменным. [3]
Промышленностью выпускаются фотодиоды типа ФД различных модификаций. В качестве материала чувствительного слоя используются германий, кремний, селен. На рис. 12.4, а, б показаны конструкции некоторых фотодиодов, на рис. 12.4, в - его устройство. Между золотой пленкой и полупроводником создается запирающий слой. [4]
Так, у фотодиодов типа ФД-2 она может иметь значения в пределах от 10 до 30 ма / лм. В целях получения потребителем фотодиодов с меньшим разбросом параметров их выпускают рассортированными на группы. [5]
В качестве КЭП используется фотодиод типа ПОРИ. [6]
На рис. 7 - 17 построена экспериментальная кривая темнового тока через фотодиод типа ФД-3, соответствующая изменению температуры окружающего воздуха от 303 до 373 К. Точки, найденные экспериментально, достаточно точно совпали с этой расчетной кривой. [7]
 |
Варианты фотореле. [8] |
В третьем варианте фотореле, схема которого изображена на рис. 255, в, роль датчика выполняет фотодиод VI типа ФД-1 или ФД-2. Электромагнитное реле К1 такое же, как в первых вариантах фотореле. Здесь фотоэлемент и резистор R1 образуют делитель напряжения источника питания, с которого на базу транзистора V2 подается отрицательное напряжение смещения. Пока фотодиод не освещен, его обратное сопротивление ( а включен он в цепь делителя в обратном направлении) оч нь большое. Транзистор V2 при этом открыт, а транзистор V4 закрыт. Но стоит осветить фотодиод, как тут же его обратное сопротивление и падение напряжения на нем уменьшатся, отчего транзистор V2 почти закроется, а транзистор V4, наоборот, откроется. [9]
Фотоприемник по конструкции и внешнему виду аналогичен излучателю, только вместо излучающего светоднода и генератора в нем установлены фотодиод типа ФД-27К и фоторезистор. Схема фотодетектора создает динамическую нагрузку фотодиоду, выполненному на транзисторе. Напряжение питания фотодетектора стабилизируется стабилитроном. [10]
Фотоприемник по внешнему виду и конструктивному исполнению аналогичен излучателю, только вместо излучающего светодиода и генератора в нем установлены фотодиод типа ФД-27К и фотодетектор. [11]
ФС ( 90 гц); 2 - CdSe, ФС ( 90 гц); 3 - Se-SeO, ФВ ( 90 гц); 4 - GaAs, ФВ ( 90 гц); 5 - фотоумножитель типа 1Р21 ( частота, при которой проводились измерения, неизвестна); 6 - кремниевый двойной фотодиод типа 1N2175, ФВ ( 90 гц) [ 2); 7 - предел, накладываемый фотонными шумами на пороговую чувствительность тепловых приемников; температура фона 290 К, 2 я стерадиан. [13]
Схема цветового пирометра: / - контролируемое тело; 2 - объектив; 3 - полупрозрачное зеркало; 4 - зеркало; 5 - окуляр; 6 - подогреватель термостата фотодиода; 7 - контактный термометр; 8 - предварительный усилитель; 9 - электронное реле; 10 - усилитель; / / - электродвигатель; 12 - синхронный переключатель; 13 - усилитель; 14 - реохорд; 15 - фотодиод типа ФД-4; 16 - диск с простым и синим светофильтрами; 17 - конденсор. [14]
Датчик переполнения кармана ФДЗ установлен на 20 мм ниже крайнего нижнего уровня положения буферной петли носителя информации. Датчик выполнен на фотодиоде типа 690 ( ППЗ) и через оптическую систему освещается лампой накаливания типа СЦ-61. При нормальном функционировании буферной петли бумага не опускается до уровня нижнего датчика, по этому он постоянно освещен. Этот датчик включен на входе ФФЗ. [15]
Страницы: 1 2