Инжекционный фотодиод
Cтраница 1
 |
Зависимости D ( 1, чувствительности Sv ( 2 и напряжения шумов иш ( 3 от напряжения смещения. [1] |
Инжекционные фотодиоды ( ИФД) - новый класс фотоприемников. В них реализуется внутреннее инжекционное усиление. [2]
Экспериментальные исследования инжекционных фотодиодов из высокоомного германия, кремния, арсенида галлия и других материалов показали, что инжекцион-ные - фотодиоды имеют в десятки и сотни раз большую токовую фоточувствительность, чем фоторезисторы из аналогичного материала тех же размеров и при том же смещении. Пороговая чувствительность и инерционность инжекционных фотодиодов примерно такая же, как и у фоторезисторов. [3]
Существенно большая токовая фоточувствительность инжекционных фотодиодов упрощает их согласование с предусилителями и реализацию пороговых характеристик. [4]
 |
Зависимость фототока от межбазового напряжения. [5] |
Участок ЭБ структуры ( см. рис. 8.10) является инжекционным фотодиодом. Длина нижней части базы намного превышает диффузионную длину носителей, поэтому срыв тока на ВАХ ОТ происходил при относительно больших эмиттерных токах. [6]
Фототранзистор с дополнительным инжекционным усилением [65] представляет собой структуру ( рис. 8.9), входной частью которой ( эмиттер - длинная база) является инжекционный фотодиод на основе высокоомного компенсированного полупроводника. Примесная засветка изменяет концентрацию основных носителей заряда в длинной базе. [7]
Экспериментальные исследования инжекционных фотодиодов из высокоомного германия, кремния, арсенида галлия и других материалов показали, что инжекцион-ные - фотодиоды имеют в десятки и сотни раз большую токовую фоточувствительность, чем фоторезисторы из аналогичного материала тех же размеров и при том же смещении. Пороговая чувствительность и инерционность инжекционных фотодиодов примерно такая же, как и у фоторезисторов. [8]
 |
Схема переключателя, включаемого светом, и вольт-амперная характеристика тиристора без освещения ( 1 и с освещением ( 2. [9] |
Описанные механизмы усиления фототока не приводят к ухудшению пороговых характеристик. Более того, избыточные шумы в таких инжекционных фотодиодах усиливаются слабее, чем сигнал, поэтому в них легче достичь предельной обнаружительной способности. [10]
Инжекционпый фотодиод представляет собой диод с длинной базовой областью из высокоомного полупроводника. Длина базы в несколько раз превышает длину диффузионного смещения неосновных носителей тока. Инжекционный фотодиод работает в режиме высоких уровней инжекции: проводимость базовой области определяется инжектированными носителями. [11]
Существенным недостатком фотодиодов является низкая токовая фоточувствительность, так как в них квантовый выход не может быть выше единицы. Их использование в режиме лавинного умножения приводит к очень жестким требованиям к стабильности температуры и напряжения питания. Этих недостатков лишены инжекционные фотодиоды - новый класс фотоприемников с внутренним усилением, разработанный в последние годы. [12]
Значение / ф при / бб0 соответствует чувствительности инжекционного фотодиода при разных уровнях инжекции через р - - переход. [13]
Фотодиоды с инжекционным усилением перспективны для создания высокоэффективных фотоэлектрических устройств, чувствительных практически во всех областях оптического спектра. ИФД отличаются хорошими пороговыми характеристиками. Использование их возможно как в аналоговом, так и в дискретном режимах. Изучение, влияния немонохроматической засветки на инжекционные фотодиоды из n - GeAu показало, что прямая ветвь ВАХ деформируется при освещенностях Ю-5 лк и более. [14]
В длинных диодах прямой ток определяется неравновесной проводимостью базовой области. Распределение носителей в базовой области определяется подвижностью и эффективным временем жизни. В магнитном поле вследствие магниторезистивного эффекта уменьшается подвижность носителей и, следовательно, еще более сильно уменьшается проводимость диода. Эффект магнитосопротивления за счет изменения инжекции усиливается в десятки и сотни раз. Магниточувствительность длинных диодов, названных магнито-диодами, во много раз превышает магниточувствительность маниторезисторов, так же, как фоточувствительность инжекционных фотодиодов превышает фоточувствительность обычных фотодиодов и фоторезисторов. [15]
Страницы: 1