Рентгеновский фотон

Cтраница 1

Рентгеновский фотон с частотой 7 5 - 1018 Гц испытывает рассеяние на 90 на свободном электроне. [1]

Схема фотоэмиссии электрона под действием ультрафио - S kk by. [2]

Рентгеновские фотоны вызывают эмиссию электронов с глубоких основных уровней атомов ( рис. X. Если использовать монохроматическое рентгеновское излучение с постоянной длиной волны ( обычно для этих целей применяется излучение линий А1К или MgKa), то электроны, испускаемые атомами разной природы, будут иметь отличные друг от друга значения кинетической энергии. Эти значения известны для атомов всех химических элементов, начиная с лития, что создает возможность применения рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии ( РФЭС) для качественного химического анализа поверхностей твердых тел. [3]

Испускание рентгеновского фотона может произойти, когда электрон пролетает вблизи какого-либо ядра вещества антикатода, испытывая действие сильного электрического поля. В этом случае электрон может передать часть своего импульса ядру, что обеспечит сохранение полной энергии и импульса всей системы. Поскольку масса ядра много больше массы электрона, то в элементарном акте взаимодействия с электроном, при котором рождается рентгеновский фотон, ядро может принять на себя любой импульс, практически не получив при этом никакой энергии. Поэтому закону сохранения импульса не будет противоречить процесс, при котором налетающий электрон останавливается, расходуя всю свою кинетическую энергию только на излучение фотона. [4]

Испускание рентгеновского фотона может произойти, когда электрон пролетает вблизи какого-либо ядра вещества антикатода, испытывая действие сильного электрического поля. В этом случае электрон может передать часть своего импульса ядру, что обеспечит сохранение полной энергии и импульса всей системы. Поскольку масса ядра много больше массы Электрона, то в элементарном акте взаимодействия с электроном, при котором рождается рентгеновский фотон, ядро может принять на себя любой импульс, практически не получив при этом никакой энергии. Поэтому закону сохранения импульса не будет противоречить процесс, при котором налетающий электрон останавливается, расходуя всю свою кинетическую энергию только на излучение фотона. [5]

При попадании рентгеновского фотона на кристалл генерируется флуоресценция, интенсивность которой пропорциональна энергии рентгеновского фотона. Испускаемая флуоресценция измеряется фотоумножителем. [6]

Упругое столкновение фотона и электрона. До столкновения электрон покоится. hv / c - импульс падающего фотона, hv / c - импульс рассеянного фотона, рв - импульс электрона, 0 - угол рас-сеяния фотона. [7]

При рассеянии рентгеновских фотонов высоких энергий электроны отдачи, получившие от этих фотонов импульс, могут иметь скорости, сравнимые со скоростью света. В дальнейшем в опытах с квантами очень высоких энергий было обнаружено комптоновское рассеяние не только при взаимодействиях с электронами, но и с другими частицами, например с протонами и нейтронами. [8]

Быстрые электроны и рентгеновские фотоны ( полученные торможением электронов, ускоренных до энергий 10 МэВ и выше), также вызывают ядерные реакции. [9]

Система радиационного контроля с детектированием комптоновского рассеянного излучения. [10]

Непосредственное преобразование энергии рентгеновских фотонов в электрический сигнал ( отсутствие цепочки рентгеновский фотон - свет - электрический сигнал) обеспечивает в ППД лучшую пространственную разрешающую способность по сравнению с системами со световыми преобразователями информации. [11]

Поэтому при взаимодействии рентгеновского фотона с таким электроном атома этот электрон можно рассматривать как слабо связанный с атомом или даже практически свободный. При поглощении фотона такой свободный электрон приобретает практически всю энергию фотона и уходит далеко за пределы исходного атома. Это явление - рассеяние рентгеновских лучей - было подробно исследовано в 1923 г. А. [12]

Система радиационного контроля с детектированием комптоновского рассеянного излучения. [13]

Зоны возбуждения и виды сигналов, возникающих при действии электронного зонда на поверхность и на тонкую пленку. [15]

Страницы: 1 2 3 4