Фотопреобразователь

Cтраница 3

В процессе облучения фотопреобразователей, легированных литием, происходит отжиг и, таким образом, количество дефектов, оставшихся к концу облучения, зависит от интенсивности потока. Большинство исследований воздействия радиации проводится при электронном облучении на ускорителях Ван-де - Граафа, время облучения на которых много меньше периода восстановления. Поэтому восстановление параметров обычно исследуется в зависимости от температуры фотопреобразователей и времени после облучения. [31]

Важным требованием к фотопреобразователям является стабильность параметров во времени, при изменении температуры и рабочего напряжения. Фотоэлементам присуще явление утомляемости, проявляющееся в том, что с течением времени их чувствительность падает. Наибольшей стабильностью во времени обладают вакуумные сурьмяно-цезиевые фотоэлементы. Кислородно-цезиевые фотоэлементы резко изменяют свою чувствительность в продолжение первых 50 - 100 часов работы. По истечении 200 часов их чувствительность падает на 70 - 80 % и в последующем изменяется незначительно. [32]

По своему воздействию на фотопреобразователи протоны могут быть разделены на две категории в зависимости от их энергии. Проникающие протоны с энергией Е 10 МэВ создают точечные дефекты, довольно равномерно распределенные по глубине активной области фотопреобразователей. Протоны с малой длиной пробега, энергия которых Е 1О МэВ, при подаем торможении могут вызывать неравномерно распределенные дефекты. [33]

Основные удельные характеристики реакторных а-активных.| Количества радиоизотопа ( объем ФИЭ 1 литр, необходимые для получения полной мощности энерговыделения в 1 Вт. [34]

Основой солнечной батареи является фотопреобразователь, в котором имеются полупроводниковые структуры с внутренним электрическим полем. Эти структуры приводят к разделению рожденных светом носителей тока и генерации фото - ЭДС. Такими структурами являются p - n - переход, барьер Шоттки и гетеропереход. Общепринято считать, что эффективность фотовольтаического преобразования не может быть высокой. Это мнение основано на эффективности солнечных элементов, чей КПД не превышает 20 % для коммерческих и порядка 30 % для лабораторных образцов. Однако столь низкая эффективность больше обусловлена характеристиками солнечного спектра, чем предельными физическими ограничениями самого фотовольтаического преобразователя. [35]

Солнечные фотоэлектрические установки с концентраторами. [36]

Несмотря на высокую стоимость фотопреобразователей, их применение в качестве источников питания автономных маломощных потребителей в труднодоступных районах является экономически оправданным. [37]

Световой поток, улавливаемый фотопреобразователем, по абсолютной величине должен быть максимально возможным, причем отношение светового потока Ф 6, отраженного от белого поля оригинала, к световому потоку Ффч, отраженному от черного поля, должно быть максимально большим, во всяком случае таким, чтобы обеспечить получение на приеме необходимого количества полутоновых градаций. [38]

Зависимость эффективности ФЭП от. [39]

В настоящее время на лабораторных каскадных фотопреобразователях со структурой GaAlPAs / / GaAlGe достигнут КПД 26 % в условиях АМО. [40]

В результате подобного воздействия на фотопреобразователи из кремния, полученного вытягиванием из тигля, происходило небольшое ( - 4 %) увеличение тока короткого замыкания. Было также установлено, что умеренная термообработка фотопреобразователей без ультрафиолетового облучения приводит к аналогичным результатам. Хотя выполненные ранее исследования свидетельствуют о преимуществах кремния, выращенного методом зонной плавки, в условиях электронного облучения, наблюдавшийся недавно эффект повреждения таких фотопреобра - зователей под действием световых фотонов указывает на необходимость дополнительного изучения этого вопроса. [41]

Функциональная схема дозиметра солнечной радиации типа ДСР-1. [42]

Датчиками приборов типа ДСР служат миниатюрные полупроводниковые высоковольтные фотопреобразователи ( ВФП), обеспечивающие прямое преобразование солнечной или световой энергии в электрическую. [43]

Схематическое изображение различных конструкций СЭ с вертикальными р - re - переходами ( а-в и с гребенчатыми р - и n - областями, вынесенными на тыльную поверхность, и текстурированной фронтальной поверхностью ( г. [44]

Возможные схемы соединения микроэлементов в многопереходных фотопреобразователях показаны на рис. 3.7 - параллельное ( а, в) и последовательное ( б) соединение. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5