Фотоприемник
Cтраница 4
Установив фотоприемник в положение, соответствующее углу вдин, авторы [108] измерили флексоэлектрический коэффициент / еп е33 для нематической и смек-тической фаз двух жидких кристаллов: 4-бутоксибензаль - 4 - ( 3-метилбутил) анилина и 4-цианобензилиден - 4 -октил-анилина. [46]
 |
Вольт-амперные характеристики кремниевого фотоэлемента. [47] |
Рассмотрим фотоприемники и излучатели световой энергии, используемые в преобразователях. [48]
На фотоприемники 8 и 9 с полевыми диафрагмами на входах попадают рассеянные световые пучки с волновыми векторами Ksi и KS2 пространственно совмещенные с соответствующими опорными пучками. [49]
Некоторые фотоприемники, например германиевые фотоприемники, имеют высокий уровень темнового тока. [50]
Разделим фотоприемники на два типа: 1) приемники, у которых шум зависит от площади приемной поверхности, но не зависит от величины сигнала ( болометры, оптико-акустические приемники); условно назовем их тепловыми; 2) приемники, у которых шум зависит от величины сигнала ( фотоэлементы, фотоумножители), назовем их квантовыми. [51]
 |
Зависимость коэффициента собирания от длины волны.| Структура с тонким слоем p - AlxGai - xAs. / - AlIGa1. cAs. 2, 3 - контакты. 4 - антиотражающий слой. [52] |
Такой фотоприемник открывает большие возможности для использования в системах, работающих при слабых световых потоках. [53]
Рассмотрим фотоприемник, который обладает постоянной - времени т и имеет порог обнаружения. Порог обнаружения выбран так, что эмиссия По или более электронов с ( поверхности фотокатода в течение временного интервала т регистрируется как полезный сигнал. [54]
Примером фотоприемника с р - - переходом может служить кремниевая солнечная батарея, которая широко применяется для измерения выходной мощности газовых лазеров непрерывного действия в области длин волн от 3000 до 12000 А. [55]
Сигнал фотоприемника в этом случае состоит в основном из постоянной составляющей, на фоне которой происходят осцилляции малой амплитуды. [56]
Относительно фотоприемников эти условия определяют выбор инвариантных компонент, или признаков излучений. В дальнейшем распознавание в пространстве признаков может производиться на основе известных методов распознавания образов путем формирования зон решения, охватывающих области, принадлежащие заданным классам излучений. [57]
Освещенность фотоприемника обратно пропорциональна квадрату расстояния до излучателя, Как изменится освещенность фотоприемника при: а) увеличении расстояния в 2 раза; б) уменьшении расстояния в 3 раза. [58]
Освещенность фотоприемника обратно пропорциональна квадрату расстояния до излучателя, Как изменится освещенность фотоприемника при: а) увеличении расстояния в 2 раза; б) уменьшении расстояния в 3 раза. [59]
У фотоприемников на основе кремния, германия, арсе-нида галлия, сернистого и селенистого кадмия Хгр составляет 1 1; 1 8; 0 9; 0 7 и 0 8 мкм соответственно. Итак, при длине волны излучения КЪгр собственный фотоэффект в полупроводнике невозможен; при K. Krv собственный фотоэффект может иметь место. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5