Фотопроводимость - кристалл
Cтраница 1
Фотопроводимость кристалла BSO уменьшается при переходе из синей области спектра в красную на несколько порядков. [1]
Спектры фотопроводимости кристалла антрацена с электродом, который представляет собой раствор NaOH в концентрации 1 М, показаны на рис. 1.7.24. Используя соотношение (1.7.8.08) и данные рис. 1.7.24, получаем результаты, приведенные на рис. 1.7.25, из которых следует, что длина диффузионного смещения синглетного экситона без поправки равна 440 А. Эта величина близка к значению 400 А, полученному при измерениях флуоресценции этих кристаллов, электродом для которых служил водный раствор родамина В. Следовательно, главную роль в обоих процессах играют синглетные экситоны. [3]
При исследовании фотопроводимости кристаллов НБН было обнаружено, что в монодоменизированных образцах вызванная освещением высокая электропроводность исчезает не сразу после выключения света, а сохраняется длительное время. Так, после воздействия светом с Я, 0 440 мкм интенсивностью 1 мВт / см2 ток релаксирует к исходному значению более суток. [4]
Из экспериментальных данных по фотопроводимости кристалла LiNb03, легированного железом, рассчитано поле насыщения Енас 0 9 105 В / см, которое соответствует изменению показателя преломления Аге 1 5 10 - 3, что находится в удовлетворительном согласии с экспериментом. [5]
Отсутствие ярко выраженной структуры в спектре возбуждения фотопроводимости кристаллов ЦТПТ в области энергий квантов, превышающих порог фоточувствительности ( рис. 6.2.7), обусловлено выбранной геометрией электродов. Как показано на рис. 6.2.6, в этом эксперименте были использованы поверхностные электроды со щелевым зазором. [6]
Сопротивление некоторых кристаллических тел уменьшается при поглощении ими света. Это явление называют фотопроводимостью кристаллов. Впервые оно было наблюдено в 1873 году для кристаллов селена. Подробно изучена фотопроводимость диэлектриков алмаза и цинковой обманки. Фотопроводимостью обладают также некоторые полупроводники, например закись меди Си20, сернистый свинец PbS и др. В инфракрасной области фотопроводимостью обладает таллофид-сплав сульфида таллия с окисью этого металла. В ряде случаев, например в кристаллах NaCl, фотопроводимость возникает при облучении кристалла рентгеновскими лучами. При этом кристаллы NaCl приобретают желтый цвет. Находимые в природе кристаллы каменной соли, обладающие фотопроводимостью, также имеют желтый или дымчатый оттенок. Такая окраска свидетельствует о наличии внутри кристалла NaCl свободных атомов натрия, являющихся теми центрами, которые сцособны отдавать свой валентный электрон при поглощении светового кванта. Наличием таких / - центров, представляющих собой нарушение правильного строения кристаллической решетки, объясняют фотопроводимость и в других кристаллах. На языке зональной теории диэлектриков и полупроводников фотопроводимость объясняется переходом электронов из целиком заполненной полосы энергетических уровней в полосу проводимости. С этой точки зрения фотопроводимость должна зависеть от содержания примесей в полупроводнике и должна возникать в нем при поглощении квантов меньшей частоты v, чем в диэлектрике. Опыт подтверждает это заключение. Ток, возникающий в кристалле благодаря появлению добавочных электронов в полосе проводимости при поглощении световых квантов, называют первичным током фотопроводимости. [7]
При межзонном поглощении света электрон из валентной зоны переходит в зону проводимости, а в валентной зоне образуется дырка. Если переход осуществляется не на самом краю фундам. Образование свободных электронов и дырок приводит к фотопроводимости кристалла, спектр возбуждения к-рой наряду со спектрами поглощения и люминесценции позволяет изучать структуру анергетич. [8]
Аналогичные результаты получены в работе Хаберкорна [36]: при импульсном фотолизе раствора пирена и диэтиланилина в метаноле образуются ион-радикальные пары D A - s, которые могут вследствие СТВ переходить в триплетное состояние. С увеличением поля отключаются 5 - Т - и 5 - Г - каналы, в результате замедляется синглет-триплетная эволюция пар и уменьшается выход триплетов пирена. Такие же механизмы синглет-триплетной эволюции проявляются и в фотохимических реакциях в молекулярных твердых телах; они приводят к влиянию магнитного поля на интенсивность люминесценции и фотопроводимость кристаллов. [9]
В России начало исследований электрических свойств полупроводников относится к концу прошлого столетия. В конце прошлого и начале текущего столетия в России выполнен ряд исследований физических и физико-химических свойств этого элемента. К этому периоду относится первая работа академика А. Ф. Иоффе и его сотрудников по изучению механизма фотопроводимости кристаллов кварца, серы, каменной соли. [10]
При изучении фотоэлектрических свойств алмаза установлено, что легированные электрически активными примесями кристаллы в отличие от нелегированных являются фоточувствительными в ближней ультрафиолетовой, видимой и ИК областях. На спектральной зависимости фототока кристаллов, легированных бором, имеются максимумы в областях 440 - 450, 480, 500 - 520, 540, 620 - 640, 800 мм, что согласуется с данными, полученными на природном полупроводниковом алмазе. С увеличением содержания бора в шихте фототек соответствующих образцов возрастает, и проявляются два основных максимума в области 800 и 1400 нм, которые, возможно, и имеют примесную природу. Остальные пики фототока, как правило, связывают с присутствием различных структурных дефектов. Показано также, что большинство образцов n - типа проводимости имеют максимальную фоточувствительность при длине волны возбуждающего света 450 нм. С увеличением содержания As в шихте фотопроводимость кристаллов возрастает, основной максимум сохраняет свое положение и появляется ряд новых при длинах волн 900 нм и более. [11]
При изучении фотоэлектрических свойств алмаза установлено, что легированные электрически активными примесями кристаллы в отличие от нелегированных являются фоточувствительными в ближней ультрафиолетовой, видимой и ИК областях. На спектральной зависимости фототока кристаллов, легированных бором, имеются максимумы в областях 440 - 450, 480, 500 - 520, 540, 620 - 640, 800 мм, что согласуется с данными, полученными на природном полупроводниковом алмазе. С увеличением содержания бора в шихте фототок соответствующих образцов возрастает, и проявляются два основных максимума в области 800 и 1400 нм, которые, возможно, и имеют примесную природу. Остальные пики фототока, как правило, связывают с присутствием различных структурных дефектов. Показано также, что большинство образцов п-типа проводимости имеют максимальную фоточувствительность при длине волны возбуждающего света 450 нм. С увеличением содержания As в шихте фотопроводимость кристаллов возрастает, основной максимум сохраняет свое положение и появляется ряд новых при длинах волн 900 нм и более. [12]
Страницы: 1