Сернисто-свинцовое фотосопротивление - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Рассказывать начальнику о своем уме - все равно, что подмигивать женщине в темноте, рассказывать начальнику о его глупости - все равно, что подмигивать мужчине на свету. Законы Мерфи (еще...)

Сернисто-свинцовое фотосопротивление

Cтраница 2


Для измерения спектров применялась установка, состоящая из зеркального монохроматора с дифракционной решеткой, сернисто-свинцового фотосопротивления, усилителя переменного тока и самописца.  [16]

Так как струнные ГУ целесообразно применять для измерения постоянных и переменных величин с частотой от 0 до 10 кгц, в фотопреобразователе используются сернисто-свинцовые фотосопротивления, практически безынерционные в области звуковых частот.  [17]

Тал-лофидные фотосопротивления имеют наибольшую чувствительность в начале инфракрасной области спектра, а красную границу около 1 2 мкн. Сернисто-свинцовые фотосопротивления имеют наибольшую чувствительность в лучах длиной волны 1 5 - 2 5 мкн, а сернисто-висмутовые фотосопротивления - в видимой части спектра.  [18]

19 Схема оптического канала тепло-пеленгатора CODES. ( позиции те же, что на 7. 12. [19]

Мозаика состоит из 30 элементов размером 1X2 мм, расположенных вертикально. Элементами служат сернисто-свинцовые фотосопротивления.  [20]

21 Частотные характеристики приемников. [21]

Температурная характеристика определяет изменение параметров приемника от температуры чувствительного слоя. Внутреннее сопротивление сернисто-свинцового фотосопротивления изменяется почти на порядок при снижении температуры слоя 07 комнатной до - 78 С. Легко убедиться, что такое изменение сопротивления приведет к значительному увеличению фототока, а следовательно, и чувствительности приемника.  [22]

Сернисто-свинцовые фотосопротивления чувствительны к красному и инфракрасному излучению. Максимум спектральной чувствительности для сернисто-свинцовых фотосопротивлений составляет 2 1 мк, а селенисто-свин-цовых - 3 5 мк. Известны фотосопротивления, имеющие спектральную чувствительность в более глубокой инфракрасной области.  [23]

24 Вольт-амперные ( а и световые ( б характеристики двух типов сернисто-кадмиевых фотосопротивлений. [24]

Она представляет собой интегральную чувствительность, отнесенную к 1 в приложенного напряжения. Численные значения удельной чувствительности сернисто-свинцовых фотосопротивлений лежат в границах 400 - 500 мка / лм в, сернисто-висмутовых / С0 1000 мка / лм - в, а сернисто-кадмиевых лежит в границах 2500 - 3000 мка / лм - в. Столь высокий уровень / С0 ( более чем на два порядка превышающий интегральную чувствительность вакуумных фотоэлементов), а также широкий охват спектра инфракрасных ( тепловых) излучений обусловили широкое внедрение фотосопротивлений в качестве тепловых индикаторов и Датчиков.  [25]

За последние годы не было создано существенно новых фотоэлементов с внешним фотоэффектом. Из других типов многообещающим является сернисто-свинцовое фотосопротивление.  [26]

На рис. 3.25 приведены частотные характеристики охлаждаемого и неохлаждаемого сернисто-свинцового фотосопротивления, германиевого фотодиода и фотоэлектронного умножителя, а также расчетная характеристика сурьмянисто-индиевого приемника. Как видно из графиков, частота модуляции потока при использовании охлаждаемого сернисто-свинцового фотосопротивления не должна превышать нескольких сотен герц, а неохлаждаемого 1000 гц.  [27]

В этой работе пленки осаждались на гранях Ge ( 100) и ( 111) из того же раствора, который применяется при производстве сернисто-свинцовых фотосопротивлений на стеклянной подложке.  [28]

Заметным недостатком фотосопротивлений является их инерционность. Постоянная времени, определяющая фронт нарастания импульса тока при прямоугольном световом импульсе, достигает сотых долей секунды. Только сернисто-свинцовые фотосопротивления, как это следует из характеристик рис. 4.4, б, дают возможность работать при нескольких килогерцах модулированного света. У других типов фотосопротивлений частота модуляции не может превосходить сотни герц.  [29]

В основе действий фотосопротивлений лежит уменьшение сопротивления вещества под действием излучения определенной длины волны. В этом случае могут применяться различные полупроводники, из которых чаще всего используются таллофид ( сплав сульфида и окиси таллия), сульфид свинца и селен. Таллофидные и сернисто-свинцовые фотосопротивления более чувствительны в инфракрасной области спектра, однако применение их ограничено.  [30]



Страницы:      1    2    3