Фототок - приемник
Cтраница 1
Фототоки приемников заряжают накопит, конденсаторы; величина заряда, накопленного за время экспозиции, служит мерой интенсивности линии, к-рая пропорциональна концентрации элемента в пробе. [1]
Фототоки приемников излучения усиливаются балансным усилителем, выполненным по мостовой схеме. [2]
Если не удается прямо определить фототок приемника ( например, из-за того, что неизвестен коэффициент умножения тока), то надо воспользоваться изложенным ранее методом прямого измерения передаточной функции. [3]
 |
Схема ( а и технологическое выполнение ( б оптрон. [4] |
Параметрами оптронной пары являются сопротивление развязки по постоянному току, коэффициент передачи тока ( отношение фототока приемника к току излучателя), время переключения и проходная емкость. [5]
Предположим, что технические средства позволяют в обоих случаях достигнуть теоретический предел чувствительности, определяемый статистическими флуктуа-циями фототока приемника. [6]
Кроме того, в соответствии с допущением ( 3) заменим величины энергий EF и ЕА в формуле (31.10) на пропорциональные им величины фототока приемника г ф и Уф - Уф. Учитываем при этом, что в случае атомной флуоресценции мы измеряем лишь часть со всей энергии Ер, излучаемую внутри телесного угла, ограниченного размерами конденсора. [7]
При увеличении крутящего момента диски смещаются друг относительно друга и освещение фотоприемников будет происходить не одновременно, а со сдвигом во времени. Поэтому фототоки приемников 4 окажутся сдвинутыми по фазе. Измерительная цепь прибора осуществляет измерение фазового сдвига между токами, или измерение времени между импульсами фототоков. [8]
 |
Пояснение модуляционного метода измерений. [9] |
Распределение интенсивности в двухлучевой интерференционной картине, согласно формуле (3.1.3), выражается формулой / 2 / 0 ( 1 созб), где 6 -разность фаз. Из этой формулы можно определить значение фототока приемника, установленного за диафрагмой с узкой щелью, ширина которой значительно меньше ширины интерференционной полосы. [10]
В первом способе излучение просвечивающего источника модулируют с определенной частотой. На ту же частоту настраивают узкополосный усилитель фототока приемника излучения. Это позволяет практически полностью избавиться от помех со стороны немодулированного излучения поглощающего объекта. Подобного рода схемы широко применяются в атомно-абсорбционном анализе. [11]
 |
Схема голографического измерения поглощения. [12] |
В первом способе излучение просвечивающего источника модулируют с определенной частотой. На ту же частоту настраивают узкополосный усилитель фототока приемника излучения. Это позволяет практически полностью избавиться от помех со стороны немодулированного излучения поглощающего объекта. [13]
Приемник х перемещается вдоль спектра относительно быстро между демпферами и медленно в местах демпферов. Магнитное тормозное устройство автоматически включается и управляется сигналом, зависящим от отношения фототока приемника х к фототоку нулевой линии. Если середина выходной щели совпадает с серединой измеряемой спектральной линии, то фототек достигает своего максимального значения, и с помощью тормозной системы измерительный блок останавливается. В тот же момент включается потен-циометрическое записывающее устройство и на регистрирующей ленте отмечается отклонение, соответствующее отношению интен-сивностей ( разд. Такой способ применяют в случае искрового возбуждения. При дуговом возбуждении в течение периода измерения от фотоумножителей, регистрирующих линии х и г, заряжаются накопительные конденсаторы, а регистрирующий потенциометр записывает отношение интегральных интенсивностей ( разд. После выполнения этой операции измерительный блок х перемещается в соседнее место, определенное программной линейкой, и вышеописанный процесс повторяется. При этом в новом месте движущейся регистрирующей бумаги записывается отношение интенсивностей для соседней линии. [14]
В качестве одного из распространенных оптоэлектронных элементов можно рассмотреть опто-электронный ключ ( рис. 5 - 18), состоящий из оптронной пары GaAs-Si и инвертора, применяемого для схем ТТЛ. При логическом нуле, когда ток через светодиод равен нулю, сопротивление фотодиода составляет несколько мегом. При токе через светодиод, большем некоторого порогового значения, фототок приемника становится достаточным для открывания транзисторов Т1 и Т2, которые входят в режим насыщения. Транзистор ТЗ и диод Д при этом закрыты, и на выходе поддерживается низкий уровень - уровень логического нуля. Так как светодиод и фотодиод связаны между собой только оптически, то осуществляется гальваническая развязка между входом и выходом ключа. [15]
Страницы: 1 2