Первичный фототок
Cтраница 2
 |
Электронная плотность объемных состояний в запрещенной зоне N ( Е в случае легированного бором ( / и нелегирован-иого ( / / a - Si. H. [16] |
Описаны результаты измерения первичного фототока с помощью метода види-коиа, причем особое внимание уделялось таким аспектам, как возможности метода и его ограничения, требования к образцам и существо получаемой в результате такого анализа информации. В качестве примера представлены данные, полученные на a - Si: H. Из этих измерений можно отдельно оценивать основные параметры ( эффективность генерации носителей, пробег носителей, дрейфовую скорость), влияющие на фотопроводимость. Метод является эффективным средством определения и изучения состояний в запрещенной зоне a - Si: H. Обсуждаются также некоторые способы анализа переноса электронов с использованием метода ви-дикона. [17]
 |
Внешний вид ( а и [ IMAGE ] Многокаскадный фотоумножитель, схема включения ( б одно-каскадного фотоумножителя. [18] |
Для большего усиления первичного фототока применяют многокаскадные ФУ. ФУ состоит из фотокатода, анода и нескольких эмиттеров. Электроны, вылетающие под действием света из фотокатода и ускоряющиеся электрическим полем, попадают на первый эмиттер. [19]
Такой способ умножения первичного фототока, применяющийся в фотоэлементах промышленного типа, обычно обеспечивает коэффициент усиления не выше 10 ( см. рис. П-3), что недостаточно для большинства схем автоматики. [20]
 |
Электронная плотность объемных состояний в запрещенной зоне N ( Е в случае легированного бором ( / и нелегирован-иого ( / / a - Si. H. [21] |
Описаны результаты измерения первичного фототока с помощью метода види-коиа, причем особое внимание уделялось таким аспектам, как возможности метода и его ограничения, требования к образцам и существо получаемой в результате такого анализа информации. В качестве примера представлены данные, полученные на a - Si: H. Из этих измерений можно отдельно оценивать основные параметры ( эффективность генерации носителей, пробег носителей, дрейфовую скорость), влияющие на фотопроводимость. Метод является эффективным средством определения и изучения состояний в запрещенной зоне a - Si: H. Обсуждаются также некоторые способы анализа переноса электронов с использованием метода ви-дикона. [22]
 |
Схема скоростного фотоэлемента типа ФЭК. [23] |
Поэтому разработаны методы усиления первичного фототока, и наиболее эффективный из них реализован в фотоэлектронных умножителях - ФЭУ. ФЭУ представляет собой вакуумный фотоэлемент с внутренним усилением фототока в результате вторичной эмиссии. [24]
В фотоумножителях для усиления первичного фототока используется вторичная электронная эмиссия. Для этого в фотоумножителях ( рис. 12 - 11, г), помимо фотокатода К и анода Л, вводятся вторичные катоды ( эмиттеры) Э и системы фокусировки электронного пучка. Общий коэффициент усиления в многокаскадных фотоумножителях достигает сотен тысяч. [25]
Когда лучистый поток мал, первичный фототок проводимости практически безынерционен и изменяется прямо пропорционально величине лучистого потока, падающего на фоторезистор. По мере возрастания величины лучистого потока увеличивается число электронов проводимости. [26]
 |
Распределение концентрации неравновесных носителей в базе фототранзистора. [27] |
Нетрудно разобраться в природе знаков первичных фототоков г ф и ф в уравнениях ( 9), ( 10) при рассмотрении одномерной модели фототранзистора. [28]
 |
Распределение концентрации грации приобретает вид, неравновесных носителей в базе фототранзистора. [29] |
Нетрудно разобраться в природе знаков первичных фототоков 4 и г в уравнениях ( 9), ( 10) при рассмотрении одномерной модели фототранзистора. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5