Фототранзистор

Cтраница 3

Фототранзистор представляет собой полупроводниковый прибор, имеющий трехслойную структуру с двумя р-и-переходами. [31]

Фототранзисторы относятся к полупроводниковым приборам, которые уже сравнительно давно используются в фотоэлектронике. Однако до настоящего времени механизм их действия освещен в отечественной и зарубежной литературе недостаточно полно, поэтому ори описании принципа действия или особенностей работы фототранзистора различные авторы допускают неточности. Например, в работе [1] отмечается, что в фототранзисторе необходимо сделать доступным свету переход эмиттер-база. Как будет показано ниже, в фототранзисторе можно освещать любую область при условии, что расстояние от освещенной области до коллекторного или эмиттерного перехода много меньше диффузионной длины носителей. [32]

Фототранзисторы имеют достаточно болыяуи чувствительность ( 2 - 7 А / лм) [7, 8, 32], малую инерционность. Од - нако в ФЭП ДГП это не применимо, т.к. в схемах со стабили - эацией регистрируется только переменная составляющая светового потока. [33]

Устройство фотодиода ( а. схема включения ( б и вольтамперные характеристики ( в. [34]

Фототранзистор представляет собой полупроводниковый кристалл с двумя n / 7-переходами, включенными последовательно. В отличие от обычного транзистора, управление током в нем осуществляется путем воздействия светового потока на область базы. [35]

Фототранзисторы представляют собой фотоэлектрические полупроводниковые приборы с двумя р-п-перехо-дами. Помимо преобразования световой энергии в электрическую с образованием фото-тока [ как в фотодиодах ( см. § 2.2) ] фототранзистор этот фототек также усиливает. [36]

Фототранзисторы относятся к полупроводниковым приборам, которые уже сравнительно давно используются в фотоэлектронике. Однако до настоящего времени механизм их действия освещен в отечественной и зарубежной литературе недостаточно полно, поэтому при описании принципа действия или особенностей работы фототранзистора - различные авторы допускают неточности. Например, в работе [1] отмечается, что в фототранзисторе необходимо сделать доступным свету переход эмиттер - база. Как будет показано ниже, в фототранзисторе можно освещать любую область при условии, что расстояние от освещенной области до коллекторного или эмиттерного перехода много меньше диффузионной длины носителей. [37]

Фототранзистор можно предста вить себе как транзистор, коллекторный ток которого зависит от степени освещенности эмиттерного перехода. Коллекторный ток фототранзистора может управляться базовым током, как и ток обычного транзистора. [38]

Фототранзистор, выполненный в виде плоскостного диода. [39]

Схема и вольт-амперные характеристики фотодиода.| Схема и вольт-амперные характеристики фототранзистора. [40]

Фототранзисторы представляют собой приемники лучистой энергии с двумя или с большим числом - - переходов, обладающие свойством усиления фототока при облучении чувствительного слоя. [41]

Типичные выходные характеристики фототранзисторов. [42]

Фототранзисторы способны работать при большой частоте модуляции светового потока. [43]

Фототранзистор сочетает особенности фотодиода и обычного транзистора. Переход между коллектором и базой служит светочувствительной зоной пространственного заряда. Возникший фототок усиливается транзистором. Поскольку коэффициент усиления зависит от тока, то выходной ток фототранзистора изменяется с увеличением потока падающего света не совсем линейно. По этой причине фототранзисторы редко используют для измерений. [44]

Фототранзисторы - фотоэлементы, основой которых служат транзисторы. Любой транзистор может быть превращен в фототранзистор. Дело в том, что у транзистора ток коллектора сильно зависит от освещенности коллекторного перехода. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5