Cтраница 3
Наличие у фототриода оптического и электрического входов одновременно позволяет создать смещение, необходимое для работы в линейной зоне энергетической характеристики, а также компенсировать внешние воздействия. Для обнаружения малых сигналов напряжение, снимаемое с фототриода, должно быть усилено. В этом случае необходимо увеличить сопротивление вых переменному току при минимальном темно-вом токе в цепи коллектора. [31]
Крупным недостатком фототриодов является неоднородность их светочувствительной поверхности. [32]
При освещении фототриода в области базы, эмиттера или коллектора образуются пары электрон-дырка, причем свободные электроды, увлекаемые электрическим полем, перемещаются из областей эмиттера и коллектора в область базы, а дырки диффундируют в основном в коллектор. Следовательно, на базе скапливается отрицательный заряд. [33]
Фототранзистором ( фототриодом) называется фотоэлектрический полупроводниковый прибор с двумя или большим числом переходов. [34]
Чувствительность фотодиодов и фототриодов сильно зависит от спектрального состава светового потока. [35]
Для описания свойств фототриода можно использовать, с одной стороны, параметры, описывающие обычные транзисторы, а с другой, систему параметров и характеристик, применяемую в случае фотодиодов. [36]
Выбор германия для плоскостных фототриодов основан на тех же соображениях, как и в случае обычных плоскостных диодов. [37]
Приведена эквивалентная схема полевого фототриода. Проанализирована работа фототриода на нагрузки различного вида. [38]
В фотодиодах и фототриодах используется чувствительность электронно-дырочного перехода в полупроводниковых кристаллах к световому потоку. [39]
Как - правило, фототриод должен обладать достаточно большой фоточувствительной поверхностью, в пределах которой фоточувсшительность должна мало меняться. Поэтому площадь электронно-дырочного перехода в диффузионных полевых фототриодах значительно превосходит площадь эффективной поверхности затвора. [40]
Вт / ц г Фототриоды отличаются от фЬтодцодрв допол - H II. [41]
Как устроены фотодиод и фототриод. [42]
![]() |
Спектральная характеристика германиевого фотодиода.| Схема включения фототриода. [43] |
При освещении светочувствительной поверхности фототриода кванты света, проникшие в глубь полупроводника, создают в базе, вблизи от p - n - переходов, электроны и дырки. Дырки диффундируют к коллекторному переходу и под действием поля этого перехода втягиваются в область коллектора. [44]
![]() |
Принципиальная схема фотореле ФРМ-1. [45] |