Импульс - ток - управление
Cтраница 1
Импульсы тока управления должны иметь достаточно большую амплитуду для надежного включения тиристоров при всех условиях эксплуатации и достаточно крутые фронты нарастания для того, чтобы обеспечить сдвиг между моментами отпирания обоих тиристоров преобразователя строго на 180 электрических градусов и исключить постоянную составляющую результирующего тока первичной обмотки трансформатора. [1]
Пусть импульсы тока управления / У от внешнего генератора поочередно подаются в управляющие электроды тиристоров Ufli и ПП2, вызывая включение соответствующего тиристора. Предварительно заряженный коммутирующий конденсатор Ск, разряжаясь в низкоомном контуре, образованном обоими одновременно открытыми тиристорами, выключает ранее проводивший тиристор. После этого начинается перезаряд коммутирующего конденсатора через открывшийся тиристор до напряжения противоположной полярности, и в момент прихода очередного импульса тока в управляющий электрод соответствующего тиристора процессы в схеме повторяются. [2]
 |
Структура симметричного тиристора ( а и его схематическое изображение ( б.| Вольт-амперная характеристика симистора. [3] |
Длительность импульса тока управления должна быть такой, чтобы к моменту его окончания анодный ток тиристора был больше тока удержания / ауд. [4]
Длительность импульса тока управления тиристора может быть очень небольшой. Считается достаточным, если длительность импульса на уровне номинального тока управления ( указанного в паспорте тиристора) составляет 20 - 30 мксек. [5]
Минимальная длительность импульсов тока управления лимитируется надежным запиранием тиристора. [6]
 |
Распределения неравновесных носителей в базах структуры. [7] |
При подаче импульса выключающего тока управления в базовый слой ( момент t0, рис. 4 - 2, а) эмиттерный переход j из-за высокой концентрации избыточных носителей заряда в р-базе в первый момент времени практически не представляет собой сопротивления. Амплитуда импульса тока / у определяется только внешним сопротивлением цепи и напряжением управления. [8]
Способ выключения импульсом тока управления применим только для запираемых тиристоров, имеющих такую конструкцию структуры, в которой ток управления эффективно воздействует на все участки токопроводящей области. Предельная переключаемая мощность прибора определяется той максимальной энергией потерь, выделяемой на этом участке, которая еще не приводит к разрушению кристалла полупроводника. Повышением выключающего базового тока можно несколько уменьшить тепловыделение при выключении за счет более быстрого вывода заряда из базовых слоев структуры. Однако допустимое значение выключающего тока также ограничено, так как если потенциал, появляющийся на базе от протекания этого тока, превысит напряжение пробоя эмиттерного перехода, то дальнейшее увеличение тока управления становится бесполезным. [9]
Для выключения ДОТ импульс тока управления должен заканчиваться не ранее окончания процесса регенерации. В противном случае, благодаря тому что составляющие транзисторы работают в активном режиме, прекращение воздействия управляющего импульса создаст условия для Возникновения регенеративного процесса возрастания зарядов в базах прибора и в результате анодный ток увеличится до первоначального значения. [10]
 |
Полоса разброса времени задержки / 3 в функции от тока управления ( а. семейство кривых спада напряжения тиристора на этапе включения при разных абсолютных значениях напряжения и тока ( о. [11] |
Минимально необходимая длительность импульса тока управления 4min должна несколько превышать время задержки 4 с тем. После его начала анодный ток нарастает независимо от того, сохраняется ток управления или его нет. [12]
Включение тиристоров подачей импульсов тока управления общепринято в практическом их использовании. Возможно также включение тиристоров при отсутствии управляющего сигнала изменением скорости нарастания прямого напряжения ( при скорости более 10 в / мксек) или превышением напряжения переключения. Однако в тиристорных схемах эти два способа включения не применяются, так как точность и надежность работы схем снижаются. [13]
Необходимо заметить, что импульсы тока управления в такой ячейке памяти не превышают 30 мА для перемещения ЦМД на расстояние, равное трем диаметрам, за время 100 не. Рассмотренная ячейка памяти легко реализует матрицу накопителя ОЗУ. [14]
Крутизна фронта и амплитуда импульса тока управления могут влиять на характер процесса формирования начальной зоны включения р-л-р-л - структуры. Для высокочастотных схем, где тиристоры работают со значительной скоростью нарастания анодного тока, с целью формирования большей начальной зоны включения для обычного типа управляющего электрода рекомендуется обеспечивать большие значения / у и diyjdt. Благодаря особой конструкции управляющего электрода в подобных тиристорах формируется значительно большая начальная зона включения. [15]
Страницы: 1 2 3 4