Электронный фотоэлемент
Cтраница 3
Основными электрическими параметрами фотоэлементов являются чувствительность, максимальное допустимое анодное напряжение и темновой ток. У электронных фотоэлементов чувствительность достигает десятков, а у ионных фотоэлементов - сотен микроампер на люмен. Темновой ток представляет собой ток, существующий при отсутствии облучения. Он объясняется термоэлектронной эмиссией катода и токами утечки между электродами. [32]
Свойства фотоэлементов отображаются их характеристиками. Анодные ( вольт-амперные) характеристики электронного фотоэлемента / ф / ( ма) при Ф const, изображенные на рис. 22 - 2, а, показывают резко выраженный режим насыщения. [33]
Однако из-за газового наполнения световая характеристика фотоэлемента нелинейна. К недостаткам газоразрядных фотоэлементов следует отнести в некоторую инерционность в работе, в то время как электронный фотоэлемент практически безынерционен. [34]
 |
Характеристики электронных фотоэлементов. а - вольтамперные. б-световая. [35] |
Вследствие этого чувствительность ионных фотоэлементов значительно выше, чем электронных. Наличие газа сильно изменяет характеристики. Вольтамперная характеристика ионного фотоэлемента при малых анодных напряжениях и скоростях электронов, недостаточных для ионизации газа, подобна характеристике электронного фотоэлемента. При больших напряжениях в результате ионизации характеристика поднимается круче ( рис. 6 - 3, а), а при напряжении зажигания в фотоэлементе возникает самостоятельный разряд, большой ток которого может разрушить фотоэлектронный катод. Поэтому рабочее напряжение всегда должно быть значительно ниже напряжения зажигания. [36]
Частотные характеристики фото элементов показывают зависимость чувствительности фотоэлемента от частоты изменения интенсивности светового потока, облучающего фотокатод. На рис. 6 - 5 приведены для сравнения частотные характеристики электронного и ионного фотоэлементов. Чувствительность ионного фотоэлемента уменьшается при увеличении частоты за счет инерционности процессов ионизации и рекомбинации при газовом разряде, что связано с малой подвижностью ионов. Характеристика электронного фотоэлемента остается линейной вплоть до частот 109 Гц; снижение чувствительности за этой границей объясняется влиянием времени пролета электронов при очень больших частотах изменения интенсивности светового потока. [38]
 |
Эквивалентная схема ( а и частотные характеристики фотоэлементов ( б электронного 1, ионного 2 и фотосопротивлений сернисто-свинцового 3, сернисто-висмутового 4 и сернисто-кадмиевого 5. [39] |
Нижняя характеристика на рис. 4.3, б построена в более крупном масштабе. Темновой ток представляет собой сумму термоэлектронного тока катода и тока утечки по изоляции. С ростом температуры темновой ток заметно растет, главным образом благодаря увеличению его термоэлектронной составляющей. Темновой ток электронных фотоэлементов обычно не превосходит 10 - 8 - 10 - 7 а, а темновой ток фотосопротивлений и фотопреобразователей обычно много больше. [40]
Свойства фотоэлементов отображаются их характеристиками. Анодные ( вольт-амперные) характеристики электронного фотоэлемента / ф / ( ма) при Ф const, изображенные на рис. 22 - 2, а, показывают резко выраженный режим насыщения. Из рис. 22 - 4 видно, что электронные фотоэлементы ( линия 7) малоинерционны. Они могут работать на частотах в сотни мегагерц, а ионные фотоэлементы ( кривая 2) проявляют значительную инерционность - и чувствительность их снижается уже. [41]
При некоторой освещенности фотокатода все электроны эмиссии достигают анода ( ток насыщения), при дальнейшем повышении анодного напряжения ток фотоэлемента практически не изменяется. Ток насыщения зависит лишь от фотоэлектронной эмиссии, а следовательно, только от освещенности фотокатода. Зависимость тока насыщения от светового потока Ф - световая характеристика электронного фотоэлемента - линейна ( рис. 11.10, б), что является следствием закона Столетова. [42]
При некоторой освещенности фотокатода все электроны эмиссии достигают анода ( ток насыщения), при дальнейшем повышении анодного напряжения ток фотоэлемента практически не изменяется. Ток насыщения зависит лишь от фотоэлектронной эмиссии, а следовательно только от освещенности фотокатода. Зависимость тока насыщения от светового потока Ф - световая характеристика электронного фотоэлемента - линейна ( рис. 11.10, б), что является следствием закона Столетова. [43]
При некоторой освещенности фотокатода все электроны эмиссии достигают анода ( ток насыщения), при дальнейшем повышении анодного напряжения ток фотоэлемента практически не изменяется. Ток насыщения зависит лишь от фотоэлектронной эмиссии, а следовательно, только от освещенности фотокатода. Зависимость тока насыщения от светового потока Ф - световая характеристика электронного фотоэлемента - линейна ( рис. 11.10, б), что является следствием закона Столетова. [44]
Страницы: 1 2 3