Кремниевый фотоэлемент
Cтраница 1
Кремниевый фотоэлемент ( рис. 3 - 27) состоит из пластины кремния с примесью, имеющей л-проводимость. [1]
Кремниевый фотоэлемент обладает очень низким внутренним сопротивлением - порядка 2 Ом. Поэтому для получения максимальной мощности его следует нагружать на малые нагрузочные сопротивления. [2]
 |
Структура фотодиода.| Схема включения фотодиода в вентняьном ( а и фотодиодном ( б режиме. [3] |
Кремниевые фотоэлементы могут быть использованы в устройствах измерения температуры в диапазоне от 350 до 2000 С, так как они чувствительны в красной и инфракрасной областях спектра. [4]
Кремниевые фотоэлементы, превращающие энергию света в электрическую, применяются для питания батарей, используемых на спутниках и космических кораблях, и для других целей. [5]
Современные кремниевые фотоэлементы пока не находят себе широкого применения лишь вследствие чрезвычайной дороговизны. Несмотря на то, что кремния очень много в земной коре, он обнаруживается лишь в соединении с другими элементами. Его извлекают из соединения, очищают от примесей и из расплава выращивают монокристаллы. Последние разрезаются на тонкие пластинки, из которых, собственно, и изготовляются сами фотоэлементы. Все эти технологические операции трудоемки, требуют специального оборудования, высококвалифицированного персонала и выполнения ряда других сложных условий. Поэтому стоимость монокристаллического кремния требуемой чистоты весьма высока. [6]
Пока кремниевые фотоэлементы используются там, где необходимо иметь надежный источник электроэнергии, а стоимость не играет существенной роли. Кремниевые гелиобатареи, установленные на искусственных спутниках Земли и космических кораблях, прекрасно выполняют свои функции, а главное, их нельзя заменить никакими другими источниками энергии в случаях, когда продолжительно время жизни спутника. [7]
 |
Устройство полупроводниковых фотоэлементов.| Энергетические ( а и вольт. [8] |
Основой кремниевого фотоэлемента служит пластина п - Si толщиной 0 3 - 1 мм, на поверхности которой путем диффузии бора или алюминия создается слой р - Si толщиной 0 4 - 1 мкм. На границе этого слоя с п - Si образуется р-п переход с толщиной запирающего слоя I 0 05 мкм. Контакты со слоем р - Si создаются путем вакуумного напыления пленки титана, защищаемого затем тонкой пленкой серебра. Пленка напыляемого металла полупрозрачна. [9]
 |
Конструктивная схема кремниевого фотоэлемента, изготовленного методом диффузии примесей. [10] |
Кроме кремниевых фотоэлементов, промышленностью выпускаются поликристаллические селеновые фотоэлементы. [11]
 |
Устройство полупроводниковых фотоэлементов.| Энергетические ( а и вольт. [12] |
Основой кремниевого фотоэлемента служит пластина п - Si толщиной 0 3 - 1 мм, на поверхности которой путем диффузии бора или алюминия создается слой р - Si толщиной 0 4 - 1 мкм. На границе этого слоя с п - Si образуется р-п переход с толщиной запирающего слоя I 0 05 мкм. Контакты со слоем р - Si создаются путем вакуумного напыления пленки титана, защищаемого затем тонкой пленкой серебра. Пленка напыляемого металла полупрозрачна. [13]
 |
Схема однсфазного автомата, допускающего питание постоянным током. [14] |
Максимальной чувствительностью кремниевый фотоэлемент обладает при энергии 145 электронвольт, когда поглощение становится значительным. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5